

HSMS-281F-TR1G技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:二极管 - 射频,封装:SC-70,SOT-323
- 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT323
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HSMS-281F-TR1G技术参数详情说明:
HSMS-281F-TR1G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基二极管对,采用紧凑型SOT-323(SC-70)封装。该器件内部集成了一对共阴极配置的肖特基二极管,这种架构特别适用于需要高频信号处理的平衡混频器、检波器以及倍频电路。其核心优势在于极低的结电容与串联电阻,在0V偏压和1MHz测试条件下,典型结电容仅为1.2pF,而在5mA正向电流下,串联电阻低至15欧姆,这确保了其在射频(RF)和微波频段具有出色的信号完整性与低损耗特性。
该二极管对的功能设计聚焦于高频应用。其20V的最大反向峰值电压与1A的最大正向电流能力,为信号处理提供了可靠的动态范围保障。肖特基势垒结构带来的快速开关特性,结合微小的封装尺寸,使其能够高效地应用于高速信号路径中,进行精确的整流、检波或信号切换。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和稳定的性能参数,使其在特定存量或延续性设计中仍具参考价值。对于有相关需求的工程师,通过可靠的AVAGO代理商渠道获取库存或替代方案信息是必要的步骤。
在电气参数方面,HSMS-281F-TR1G的优异性能直接体现在其高频特性上。极低的寄生参数(电容与电阻)最大限度地减少了信号衰减和相位失真,这对于维持高频电路的增益和带宽至关重要。其工作结温高达150°C,提供了良好的热稳定性,适应较为严苛的工作环境。SOT-323封装不仅节省了宝贵的PCB空间,也符合现代电子设备高密度集成的趋势,便于自动化贴装生产。
基于其技术特性,HSMS-281F-TR1G典型应用于移动通信设备、无线局域网(WLAN)模块、卫星接收前端等领域的射频电路中。具体场景包括作为平衡混频器的核心非线性元件,实现频率的上变频或下变频;在功率检测或信号强度指示(RSSI)电路中用作检波器;亦可用于低阶倍频器或高速采样保持电路。其设计平衡了性能、尺寸与成本,曾是射频前端模块中实现关键功能的常用分立解决方案之一。
- 制造商产品型号:HSMS-281F-TR1G
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT323
- 系列:二极管 - 射频
- 零件状态:停产
- 二极管类型:肖特基 - 1 对共阴极
- 电压-峰值反向(最大值):20V
- 电流-最大值:1A
- 不同Vr、F时电容:1.2pF @ 0V,1MHz
- 不同If、F时电阻:15 欧姆 @ 5mA,1MHz
- 功率耗散(最大值):-
- 工作温度:150°C(TJ)
- 封装:SC-70,SOT-323
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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