

HSMS-281C-TR1G技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:二极管 - 射频,封装:SC-70,SOT-323
- 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT323
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HSMS-281C-TR1G技术参数详情说明:
HSMS-281C-TR1G是一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基二极管对,采用串联配置,封装于紧凑的SOT-323(SC-70)外壳中。该器件专为射频(RF)信号处理应用而优化,其核心架构基于高性能肖特基势垒技术,通过将两个二极管单元以串联形式集成在单一芯片上,有效提升了在射频电路中的匹配性和对称性,同时简化了PCB布局设计。
该芯片的功能特点突出体现在其高频性能上。其极低的结电容(典型值1.2pF @ 0V, 1MHz)是确保其在UHF及更高频段保持低损耗、高隔离度的关键,能够最大限度地减少对高速信号完整性的影响。同时,串联配置提供了更高的反向击穿电压(VRWM 20V),增强了电路的耐用性和可靠性。其正向导通特性也经过优化,在5mA电流下串联电阻典型值为15欧姆,有助于降低信号路径上的插入损耗。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的AVAGO代理商获取相关技术支持和库存信息。
在接口与参数方面,HSMS-281C-TR1G提供了标准的三引脚SOT-323封装,便于自动化贴装并节省电路板空间。其电气参数明确指向高频应用:最大反向工作电压20V,最大正向平均整流电流1A,以及高达150°C的结温(TJ)工作范围,确保了在严苛环境下的稳定运行。这些参数共同定义了其在射频电路中的角色一个快速、低损耗的开关或检波元件。
基于上述特性,HSMS-281C-TR1G非常适合于要求高频率和低寄生参数的场景。典型应用包括微波混频器、射频信号检波、低功耗射频开关以及频率高达数GHz的采样保持电路。其小型化封装也使其成为便携式无线设备、卫星通信模块、测试测量仪器前端等空间受限设计的理想选择,尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有系统和备件供应中仍具有重要价值。
- 制造商产品型号:HSMS-281C-TR1G
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT323
- 系列:二极管 - 射频
- 零件状态:停产
- 二极管类型:肖特基 - 1 对串联
- 电压-峰值反向(最大值):20V
- 电流-最大值:1A
- 不同Vr、F时电容:1.2pF @ 0V,1MHz
- 不同If、F时电阻:15 欧姆 @ 5mA,1MHz
- 功率耗散(最大值):-
- 工作温度:150°C(TJ)
- 封装:SC-70,SOT-323
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供HSMS-281C-TR1G现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。
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