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HSMS-2818-TR1G技术参数

  • 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
  • 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-253-4,TO-253AA
  • 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT143-4
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HSMS-2818-TR1G技术参数详情说明:

HSMS-2818-TR1G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用紧凑的SOT-143-4封装。该器件内部集成了一个桥接肖特基二极管对,其核心架构旨在实现高频信号的高效整流与检波。得益于肖特基结的快速开关特性,该芯片在射频电路中表现出极低的结电容和串联电阻,这对于维持信号完整性和减少高频损耗至关重要。

在功能特性上,该芯片的典型结电容仅为1.2pF(@0V, 1MHz),这一低电容值使其能够工作在极高的频率下,对信号造成的旁路效应极小。同时,其串联电阻低至15欧姆(@5mA, 1MHz),确保了在正向导通时具有较低的电压降和功率损耗,提升了整体能效。其峰值反向电压为20V,最大正向电流为1A,提供了足够的电压裕量和电流处理能力,适用于多种信号电平的电路环境。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过专业的安华高芯片代理获取相关产品信息和技术支持。

从接口与参数来看,该器件采用标准的四引脚SOT-143-4封装,便于自动化贴装和PCB布局。其工作结温高达150°C,展现了良好的热稳定性和可靠性,能够在较为苛刻的环境下持续工作。尽管该产品状态已标注为停产,但其成熟的设计和稳定的性能使其在现有系统和备件供应中仍具有重要价值。其参数组合低电容、低电阻、适中的电压电流规格精准地定义了其在射频领域的应用边界。

在应用场景方面,HSMS-2818-TR1G主要面向高频电子系统。它非常适合于微波混频器、射频检波器、采样保持电路以及高速开关电路。例如,在通信设备的接收前端,可用于信号解调;在测试测量仪器中,可用于峰值检波或信号调理。其小巧的封装也使其成为空间受限的便携式或高密度射频模块的理想选择,为工程师提供了在UHF乃至更高频段实现高效信号处理的基础元件解决方案。

  • 制造商产品型号:HSMS-2818-TR1G
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT143-4
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 个桥接
  • 电压-峰值反向(最大值):20V
  • 电流-最大值:1A
  • 不同Vr、F时电容:1.2pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:15 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:TO-253-4,TO-253AA
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供HSMS-2818-TR1G现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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