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HSMS-2817-TR1G技术参数

  • 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
  • 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-253-4,TO-253AA
  • 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT143-4
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HSMS-2817-TR1G技术参数详情说明:

在射频信号处理领域,HSMS-2817-TR1G是一款采用肖特基势垒技术的单桥接二极管,其核心架构基于高性能的半导体材料,实现了极低的结电容和串联电阻。该器件采用紧凑的SOT-143-4(TO-253-4)封装,内部通过优化的几何结构设计,确保了在射频频率下信号路径的完整性,有效减少了寄生参数对性能的影响,为高频应用提供了稳定的基础。

该芯片的功能特点突出表现在其高频特性上。在0V偏压和1MHz测试条件下,其结电容典型值仅为1.2pF,这一低电容特性使其能够处理极高频率的信号而引入的损耗和失真极小。同时,在5mA正向电流和1MHz条件下,其串联电阻低至15欧姆,保证了信号在通过二极管时具有较低的插入损耗和良好的导通效率。其峰值反向电压最大值为20V,最大正向电流可达1A,提供了足够的电压裕度和电流处理能力。

在接口与关键参数方面,器件采用标准的四引脚SOT-143-4表面贴装封装,便于集成到高密度的PCB设计中。其工作结温高达150°C,展现了良好的热稳定性和可靠性,适用于对温度有要求的工作环境。虽然该产品系列状态已标注为停产,但其成熟的设计和稳定的性能使其在特定存量或延续性项目中仍有应用价值。用户可通过安华高代理渠道获取相关的技术支持和库存信息。

得益于其优异的射频性能,HSMS-2817-TR1G非常适合应用于需要高速开关和信号整流的场景。典型应用包括微波混频器、射频检波电路、低功耗信号采样以及频率高达数GHz的通信模块中的限幅器和保护电路。其低电容和低电阻的组合特性,使其在追求高效率和低噪声的便携式无线设备、测试仪器前端以及卫星通信接收链路中,能够有效提升系统的整体灵敏度和动态范围。

  • 制造商产品型号:HSMS-2817-TR1G
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT143-4
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 个桥接
  • 电压-峰值反向(最大值):20V
  • 电流-最大值:1A
  • 不同Vr、F时电容:1.2pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:15 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:TO-253-4,TO-253AA
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供HSMS-2817-TR1G现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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