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HSMS-2814-TR1G技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT23-3
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HSMS-2814-TR1G技术参数详情说明:
作为一款经典的射频肖特基二极管对,HSMS-2814-TR1G采用了一对共阴极配置的肖特基结,这种架构使其在射频信号处理中能够实现高效的检波、混频或开关功能。其核心优势在于极低的结电容和串联电阻,在0V偏压和1MHz条件下,结电容典型值仅为1.2pF,而在5mA正向电流下,串联电阻低至15欧姆,这确保了器件在高频段(通常可延伸至数GHz)仍能保持优异的信号完整性和低损耗特性。
该器件具备高达20V的峰值反向电压和1A的最大正向电流能力,提供了宽裕的电气操作窗口和良好的鲁棒性。其采用标准的SOT-23-3表面贴装封装,便于集成到高密度的PCB布局中。尽管其功率耗散参数未明确标注,但高达150°C的结温(TJ)表明其具备可靠的温度稳定性,适用于多种工作环境。对于需要稳定供应链支持的客户,可以通过专业的安华高芯片代理获取相关产品信息和技术支持。
在接口与参数层面,其低电容和低电阻的组合是关键设计考量。这种特性直接转化为高截止频率和低插入损耗,使其在射频前端电路中能够快速响应,并最大限度地减少对有用信号的衰减。其共阴极的引脚配置简化了电路设计,特别适合于需要将射频信号进行整流或下变频的应用。
基于其技术特性,HSMS-2814-TR1G非常适合应用于对频率响应和效率有较高要求的场景。典型应用包括微波检波器、平衡混频器、射频开关以及低功耗无线通信设备(如RFID读写器、无线传感器节点)中的信号检测电路。其小型化封装也使其成为便携式及空间受限的射频模块的理想选择。
- 制造商产品型号:HSMS-2814-TR1G
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT23-3
- 系列:二极管 - 射频
- 零件状态:停产
- 二极管类型:肖特基 - 1 对共阴极
- 电压-峰值反向(最大值):20V
- 电流-最大值:1A
- 不同Vr、F时电容:1.2pF @ 0V,1MHz
- 不同If、F时电阻:15 欧姆 @ 5mA,1MHz
- 功率耗散(最大值):-
- 工作温度:150°C(TJ)
- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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