

HSMS-2810-TR2G技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT23-3
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HSMS-2810-TR2G技术参数详情说明:
在射频信号处理与检测领域,HSMS-2810-TR2G是一款基于肖特基势垒原理设计的单二极管射频器件。其核心架构采用高性能的金属-半导体结,这种结构赋予了它极低的结电容和快速的开关响应特性,使其能够在高频环境下高效工作,特别适用于对信号完整性要求苛刻的电路。该器件由安华高科技(Avago Technologies)设计,现隶属于Broadcom(博通)产品线,其技术传承确保了性能的可靠性与一致性。
该芯片的功能特点突出体现在其高频性能上。在0V偏压、1MHz测试条件下,其结电容典型值仅为1.2pF,这一低电容特性对于减少高频信号在通过二极管时的损耗和畸变至关重要。同时,在5mA正向电流、1MHz条件下,其串联电阻为15欧姆,较低的导通电阻有助于降低信号衰减和功率损耗。其峰值反向电压为20V,最大正向电流可达1A,结合高达150°C的结温工作能力,使其在一定的功率和温度范围内具备良好的鲁棒性。
从接口与参数来看,HSMS-2810-TR2G采用标准的SOT-23-3表面贴装封装(也称为TO-236-3或SC-59),这种紧凑的封装形式非常适合高密度PCB布局,便于自动化生产。其电气参数,如低电容、低串联电阻和较高的反向击穿电压,共同定义了它在射频电路中的核心作用。用户可以通过安华高中国代理获取详细的技术资料与供应链支持,以完成设计导入。
在应用场景方面,这款肖特基二极管主要面向射频信号检测、混频器以及高速开关电路。其优异的频率响应特性使其成为便携式通信设备、无线局域网模块、测试仪器以及雷达系统中关键信号路径的理想选择,尤其适用于需要从高频载波中高效提取调制信号的检波器设计。尽管其零件状态标注为停产,但在许多既有设计和特定备件需求中,它仍然是一个被广泛认可和使用的经典射频解决方案。
- 制造商产品型号:HSMS-2810-TR2G
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT23-3
- 系列:二极管 - 射频
- 零件状态:停产
- 二极管类型:肖特基 - 单
- 电压-峰值反向(最大值):20V
- 电流-最大值:1A
- 不同Vr、F时电容:1.2pF @ 0V,1MHz
- 不同If、F时电阻:15 欧姆 @ 5mA,1MHz
- 功率耗散(最大值):-
- 工作温度:150°C(TJ)
- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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