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HSMS-280R-BLKG技术参数

  • 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
  • 类别封装:二极管 - 射频,封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT363
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HSMS-280R-BLKG技术参数详情说明:

HSMS-280R-BLKG是一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用紧凑的SOT-363(6-TSSOP)封装。该器件采用两对串联的肖特基二极管结构,这种架构使其在射频信号路径中能够提供对称的电气特性,特别适用于需要平衡信号处理或倍频的应用。其核心优势在于将肖特基二极管固有的低正向压降和快速开关特性,与串联配对设计带来的电压处理能力提升相结合。

该芯片在射频性能上表现突出,其结电容极低,典型值仅为2pF(在0V偏压、1MHz条件下),这对于高频应用至关重要,因为它能最大限度地减少对信号路径的加载效应和信号损耗,确保高频信号的完整性。同时,其串联电阻在5mA正向电流、1MHz条件下为35欧姆,有助于维持良好的信号线性度。器件可承受高达70V的峰值反向电压,最大正向电流为1A,结合高达150°C的结温工作范围,展现了其在严苛环境下的可靠性。

在接口与参数层面,安华高芯片代理提供的技术资料显示,HSMS-280R-BLKG的封装引脚排列优化了高频布局,便于在印刷电路板上实现紧凑且寄生参数可控的布线。其关键电气参数,如低电容、适中的串联电阻以及较高的反向击穿电压,共同定义了它在射频电路中的角色。尽管该产品目前已处于停产状态,但其设计规格和性能参数在同类历史产品中仍具有参考价值,尤其适用于对器件库存有特定管理需求的研发或维护项目。

该芯片典型的应用场景包括射频信号检波、低功耗混频器以及高达数GHz频率范围的倍频电路。其低电容特性使其非常适合用于微波领域的低损耗开关和采样保持电路。在通信设备、测试与测量仪器以及雷达系统的前端模块中,此类高性能肖特基二极管常被用于精确的信号幅度检测和频率变换。其小型化封装也契合了现代电子产品对高密度集成的持续需求。

  • 制造商产品型号:HSMS-280R-BLKG
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT363
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 2 对串联
  • 电压-峰值反向(最大值):70V
  • 电流-最大值:1A
  • 不同Vr、F时电容:2pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:35 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供HSMS-280R-BLKG现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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