

HSMS-280M-TR2G技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:二极管 - 射频,封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT363
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HSMS-280M-TR2G技术参数详情说明:
HSMS-280M-TR2G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频肖特基二极管对,采用紧凑的SOT-363(6-TSSOP)封装。该器件集成了两对共阴极配置的肖特基二极管,这种架构特别适用于需要平衡或差分信号处理的射频电路,例如混频器、检波器和倍频器。其核心优势在于极低的结电容和串联电阻,在0V偏压和1MHz测试条件下,典型结电容仅为2pF,而在5mA正向电流下,串联电阻低至35欧姆,这确保了器件在高频环境下具有出色的信号完整性和低损耗特性。
该芯片的功能特点突出表现在其高频性能与可靠性上。70V的最大峰值反向电压提供了良好的耐压裕度,增强了电路在瞬态条件下的鲁棒性。同时,其最高1A的连续正向电流能力,使其能够处理相对较高的功率信号。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的工艺和稳定的性能使其在现有库存或特定设计中仍具参考价值。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过专业的安华高芯片代理渠道获取相关产品信息或替代方案咨询。
在接口与参数方面,HSMS-280M-TR2G采用标准的表面贴装封装,便于自动化生产。其工作结温高达150°C,表明其具备良好的热稳定性,适合在环境要求较为严苛的应用中运行。低电容和低电阻的参数组合,直接转化为优异的高频响应,使其在数百兆赫兹至数吉赫兹的频率范围内都能保持高效能。
典型的应用场景涵盖无线通信基础设施、测试与测量设备以及高速数据链路。它常被用于射频信号的精密检波、低功耗混频器的核心非线性元件,或在本地振荡器链中用于谐波生成。其小型化封装也使其非常适合高密度集成的模块设计,例如微波单片集成电路(MMIC)外围或射频前端模块(FEM)中的辅助电路。
- 制造商产品型号:HSMS-280M-TR2G
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT363
- 系列:二极管 - 射频
- 零件状态:停产
- 二极管类型:肖特基 - 2 对共阴极
- 电压-峰值反向(最大值):70V
- 电流-最大值:1A
- 不同Vr、F时电容:2pF @ 0V,1MHz
- 不同If、F时电阻:35 欧姆 @ 5mA,1MHz
- 功率耗散(最大值):-
- 工作温度:150°C(TJ)
- 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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