HSMS-280M-TR1G技术参数

作为一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的射频肖特基二极管，HSMS-280M-TR1G采用了先进的肖特基结工艺，其核心架构为两对共阴极配置的二极管集成于单一芯片之上。这种共阴极对管设计在紧凑的封装内实现了优异的对称性和匹配性，特别适合于需要平衡信号处理或倍频的射频电路。其内部结构经过优化，旨在最小化寄生参数，确保在高达数GHz的高频段仍能保持稳定的电气性能。

该器件的功能特点突出体现在其高频低损耗特性上。在零偏压、1MHz测试条件下，其结电容典型值低至2pF，这使其在射频开关、混频器等应用中能有效减少对信号路径的加载效应，保持信号完整性。同时，在5mA正向电流、1MHz条件下，其串联电阻仅为35欧姆，较低的导通电阻有助于降低信号在通过二极管时的功率损耗，提升系统效率。其峰值反向电压高达70V，最大正向电流为1A，提供了宽裕的工作电压和电流裕量，增强了电路设计的鲁棒性。

在接口与关键参数方面，HSMS-280M-TR1G采用标准的6引脚TSSOP（SC-88，SOT-363）超小型表面贴装封装，非常适合高密度PCB布局。其工作结温高达150°C，确保了在严苛环境或高功率密度应用下的可靠性。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能使其在特定领域仍有应用价值，用户可通过可靠的安华高一级代理渠道获取库存或替代方案咨询。

该芯片典型的应用场景涵盖无线通信基础设施、测试与测量设备以及消费电子领域。其低电容、低串联电阻的特性使其非常适合用于UHF至微波频段的检波器、平衡混频器以及低功耗射频开关。此外，其共阴极对管结构也常被用于频率倍增器电路，如从较低的本振频率生成倍频信号，为锁相环（PLL）或上变频链路提供纯净的谐波源。在需要高性能、小型化射频前端的设计中，HSMS-280M-TR1G提供了一个经过验证的解决方案。

• 制造商产品型号：HSMS-280M-TR1G
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT363
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 2 对共阴极
• 电压-峰值反向（最大值）：70V
• 电流-最大值：1A
• 不同Vr、F时电容：2pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F时电阻：35 欧姆 @ 5mA，1MHz
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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