HSMS-280L-TR1G技术参数

HSMS-280L-TR1G是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的高性能射频肖特基二极管阵列。该器件采用紧凑的6引脚SOT-363（SC-88）封装，内部集成了三个独立的肖特基二极管单元，为高频电路设计提供了高度集成的解决方案。其核心架构基于成熟的肖特基势垒技术，通过优化的半导体工艺实现了极低的结电容和串联电阻，这是保障其在射频及微波频段下优异性能的基础。

该芯片的功能特点突出体现在其高频特性上。在0V偏压和1MHz测试条件下，其典型结电容低至2pF，这一特性使其在高达数GHz的工作频率下仍能保持出色的信号完整性，有效减少对高频信号的衰减和相位失真。同时，在5mA正向电流和1MHz条件下，其典型串联电阻仅为35欧姆，有助于降低导通损耗，提升整体电路效率。其峰值反向电压高达70V，最大正向电流为1A，提供了良好的电气鲁棒性。值得注意的是，其最高结温可达150°C，展现了在宽温范围内稳定工作的潜力。

在接口与参数方面，HSMS-280L-TR1G的三个独立二极管单元为电路设计提供了极大的灵活性，可以方便地配置用于混频、检波、开关或限幅等多种功能。其SOT-363表面贴装封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也符合现代电子设备小型化、高密度的生产趋势。虽然该产品目前已处于停产状态，但其技术规格在特定应用领域仍具有参考价值，工程师可通过安华高中国代理等渠道咨询库存或替代方案信息。

该器件的典型应用场景主要集中在需要高频、高速信号处理的领域。例如，在通信系统的射频前端，可用于UHF乃至微波波段的低功耗检波器或混频器；在测试测量设备中，可作为高速采样保持电路或脉冲整形电路的关键元件；此外，在雷达模块、卫星接收机以及一些对开关速度要求较高的保护电路中也能找到其用武之地。其低电容、低电阻的特性使其特别适合于对信号损耗和响应速度有严苛要求的场合。

• 制造商产品型号：HSMS-280L-TR1G
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT363
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 3 个独立式
• 电压-峰值反向（最大值）：70V
• 电流-最大值：1A
• 不同Vr、F时电容：2pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F时电阻：35 欧姆 @ 5mA，1MHz
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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