HSMS-280L-BLKG技术参数

HSMS-280L-BLKG是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的表面贴装射频肖特基二极管阵列。该器件采用紧凑的6-TSSOP（SC-88，SOT-363）封装，内部集成了三个独立的肖特基二极管单元，为高频电路设计提供了高集成度与布局灵活性。其核心架构基于成熟的肖特基势垒技术，通过优化的半导体工艺实现了极低的结电容和串联电阻，这是保障其在射频及微波频段高性能表现的基础。

该芯片的功能特点突出体现在其高频特性上。在0V偏压、1MHz测试条件下，其典型结电容仅为2pF，这一低电容值有效降低了信号路径上的高频损耗，并显著扩展了器件的工作频率上限。同时，在5mA正向电流、1MHz条件下，其典型串联电阻为35欧姆，较低的导通电阻有助于减少信号衰减和功率损耗。器件可承受高达70V的峰值反向电压，并支持最大1A的电流，结合其高达150°C的结温工作能力，展现了良好的电气鲁棒性。

在接口与关键参数方面，三个独立二极管的设计允许工程师在单个封装内实现更复杂的电路功能，如平衡混频器、倍频器或高速开关阵列。其SOT-363封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也优化了高频下的寄生参数。尽管该产品目前已处于停产状态，但其在特定存量项目或对性能有明确要求的场景中仍有应用价值。用户在选型与采购时，可通过正规的安华高代理渠道获取技术支持和可靠的货源信息。

HSMS-280L-BLKG典型的应用场景涵盖需要高性能肖特基二极管的各类射频前端电路。它非常适合用于UHF至微波频段的信号检波、低功耗混频以及高速开关等关键功能模块。例如，在便携式通信设备、卫星接收模块、测试仪器仪表以及雷达传感器等系统中，其低电容、低电阻的特性能够有效提升系统的灵敏度、线性度和整体效率。

• 制造商产品型号：HSMS-280L-BLKG
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT363
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 3 个独立式
• 电压-峰值反向（最大值）：70V
• 电流-最大值：1A
• 不同Vr、F时电容：2pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F时电阻：35 欧姆 @ 5mA，1MHz
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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