

HSMS-280E-BLKG技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:二极管 - 射频,封装:SC-70,SOT-323
- 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT323
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HSMS-280E-BLKG技术参数详情说明:
HSMS-280E-BLKG是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基二极管对,采用紧凑的SOT-323(SC-70)封装。该器件内部集成了一对共阳极配置的肖特基势垒二极管,这种架构使其特别适用于需要信号平衡处理或直流偏置路径的射频电路设计。其核心优势在于极低的结电容和串联电阻,在0V偏压和1MHz测试频率下,典型结电容仅为2pF,而在5mA正向电流下,串联电阻低至35欧姆,这为高频信号提供了优异的导通特性和极低的信号损耗。
该芯片的功能特点突出体现在其高频性能上。70V的最大峰值反向电压和高达150°C的结温工作能力,赋予了它良好的耐用性和环境适应性。其1A的最大正向电流处理能力,结合肖特基二极管固有的低开启电压和快速开关特性,使其能够在高频检波、混频、采样保持以及高速开关电路中稳定工作。对于需要从博通代理商处获取可靠元件的工程师而言,HSMS-280E-BLKG提供了一个经过验证的高性能射频解决方案,尽管其目前已处于停产状态,但在许多现有设计和备件供应中仍具有重要价值。
在接口与参数层面,该器件采用标准的三引脚SOT-323封装,两个阴极分别对应两个独立的引脚,而阳极则为共用引脚,这种物理布局便于在PCB上进行对称布线。其电气参数,包括低至2pF的结电容和35欧姆的串联电阻,直接决定了它在甚高频(VHF)乃至更高频段的应用潜力,能有效减少对电路Q值和带宽的影响。这些参数共同塑造了其在要求低损耗、高速度应用场景中的核心竞争力。
典型的应用场景广泛覆盖了无线通信和测试测量领域。它常被用于移动通信设备、卫星接收模块、无线局域网设备中的射频信号检波与混频器电路。此外,在高速脉冲整形、峰值检测以及精密仪器中的保护钳位电路里,其快速响应特性也至关重要。其小巧的封装尺寸使其非常适合高密度集成的便携式电子产品,为射频前端设计提供了高效、节省空间的半导体选择。
- 制造商产品型号:HSMS-280E-BLKG
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT323
- 系列:二极管 - 射频
- 零件状态:停产
- 二极管类型:肖特基 - 1 对共阳极
- 电压-峰值反向(最大值):70V
- 电流-最大值:1A
- 不同Vr、F时电容:2pF @ 0V,1MHz
- 不同If、F时电阻:35 欧姆 @ 5mA,1MHz
- 功率耗散(最大值):-
- 工作温度:150°C(TJ)
- 封装:SC-70,SOT-323
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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