HSMS-280B-TR2G技术参数

制造厂商：AVAGO（安华高，博通BROADCOM）
类别封装：二极管 - 射频，封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
技术参数：RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT323
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HSMS-280B-TR2G技术参数详情说明：

作为一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的射频肖特基二极管，HSMS-280B-TR2G采用了先进的肖特基结技术，其核心架构旨在实现高频信号下的低损耗与快速响应。该器件为单管结构，通过优化的半导体材料和结区设计，在保证反向击穿电压的同时，显著降低了结电容和正向导通压降，这对于维持射频电路的信号完整性和效率至关重要。

该二极管的功能特点突出体现在其高频性能上。在0V偏压、1MHz测试条件下，其结电容典型值仅为2pF，这一低电容特性使其在GHz频段仍能保持优异的隔离度，有效减少对高频信号的旁路效应。同时，在5mA正向电流、1MHz条件下，其串联电阻为35欧姆，结合肖特基二极管固有的低开启电压特性，共同确保了信号通路中的插入损耗维持在较低水平。其峰值反向电压高达70V，最大正向电流为1A，提供了宽裕的安全工作裕度。

在接口与参数方面，安华高中国代理提供的技术资料显示，HSMS-280B-TR2G采用标准的SOT-323（亦称SC-59或SOT-23-3）表面贴装封装，这种小型化封装非常适合高密度PCB布局。其工作结温高达150°C，增强了器件在高温环境下的可靠性。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能参数使其在特定领域仍有应用价值。

基于上述技术特性，HSMS-280B-TR2G非常适合应用于对频率响应和损耗敏感的射频电路场景。典型应用包括微波混频器、检波器、低功耗射频开关以及高频信号采样电路。其低电容和低串联电阻的组合，使其能够胜任需要快速开关和高效整流的高频环境，例如通信设备的前端模块、测试测量仪器中的信号调理单元等。