HSMS-2805-TR1G技术参数

制造厂商：AVAGO（安华高，博通BROADCOM）
类别封装：二极管 - 射频，封装：TO-253-4，TO-253AA
技术参数：RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT143-4
专注销售安华高电子元器件，承诺原装！现货当天发货！
您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购

点击下图下载技术文档

HSMS-2805-TR1G技术参数详情说明：

作为一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的射频肖特基二极管，HSMS-2805-TR1G采用了双独立式肖特基结的架构。这种设计使其内部包含两个电气隔离的二极管单元，封装于紧凑的SOT-143-4（或TO-253-4）表面贴装封装内，为电路设计提供了高度的灵活性和空间效率。其核心基于金属-半导体结原理，相较于传统PN结二极管，具备更低的开启电压和更快的开关速度，这是其在射频领域表现出色的物理基础。

该器件的性能特点突出体现在其高频参数上。在0V偏压、1MHz测试条件下，其结电容典型值仅为2pF，这一极低的电容值对于最小化高频信号路径中的容性负载至关重要，能有效减少信号损耗和失真。同时，在5mA正向电流、1MHz条件下，其串联电阻为35欧姆，较低的电阻有助于降低二极管的导通压降和自身功耗。结合高达70V的峰值反向电压和1A的最大正向电流能力，它在提供良好射频性能的同时，也兼顾了一定的功率处理能力和电压耐受性。其最高结温可达150°C，确保了在较高环境温度下的工作可靠性。

在接口与参数方面，该器件采用四引脚SOT-143封装，两个二极管单元分别占用独立的引脚对，便于在电路中实现共阴极、共阳极或完全独立的连接方式。其关键直流与射频参数，如低结电容、低串联电阻、高反向击穿电压等，共同定义了其在VHF至微波频段的应用边界。用户可通过安华高中国代理获取详细的技术资料与支持，以进行精确的电路设计与仿真。

基于上述特性，HSMS-2805-TR1G非常适用于对频率响应和信号完整性要求苛刻的场合。典型应用包括微波混频器、检波器、低功耗射频信号采样与峰值检测电路，以及需要高速开关的射频开关和限幅器。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备和备件供应中，它仍然是实现高性能射频前端功能的一个经典且可靠的选择。