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HSMS-2803-TR2G技术参数

  • 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
  • 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT23-3
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HSMS-2803-TR2G技术参数详情说明:

作为一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频肖特基二极管对,HSMS-2803-TR2G采用了先进的共阳极集成架构。该器件将两个独立的肖特基二极管集成在一个微型的SOT-23-3封装内,其阳极在内部连接至公共引脚,这种设计极大地优化了电路板布局空间,简化了高频信号路径,特别适合于需要紧凑对称设计的平衡混频器、检波器及开关电路。

该芯片的核心优势在于其卓越的高频性能。其极低的结电容(典型值2pF @ 0V, 1MHz)串联电阻(典型值35欧姆 @ 5mA, 1MHz)的组合,确保了在UHF至微波频段内具有出色的信号完整性与低损耗特性。高达70V的峰值反向电压为其提供了良好的耐用性,而1A的最大正向电流能力则使其能够处理相对较高的信号功率。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和可靠的性能使其在现有系统和备件市场中仍具参考价值,用户可通过专业的安华高芯片代理渠道获取库存或替代方案咨询。

在电气接口与参数方面,HSMS-2803-TR2G的共阳极设计意味着两个二极管的阴极是独立可用的,为差分或推挽电路配置提供了便利。其工作结温高达150°C,表明其具备在严苛热环境下稳定工作的潜力。采用标准的TO-236-3(SC-59, SOT-23-3)表面贴装封装,兼容业界通用的回流焊工艺,便于自动化生产。

基于上述特性,HSMS-2803-TR2G的传统应用场景主要集中在高频通信与测量领域。它常被用于频率转换模块中的平衡混频器,以实现本地振荡器与射频信号的高效混合;在功率检测和信号强度指示电路中作为低势垒电压的检波二极管;此外,也可用于高速开关、限幅器以及高频信号采样等电路。其设计为需要高性能、小尺寸解决方案的射频前端工程师提供了一个经过验证的元器件选择。

  • 制造商产品型号:HSMS-2803-TR2G
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT23-3
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对共阳极
  • 电压-峰值反向(最大值):70V
  • 电流-最大值:1A
  • 不同Vr、F时电容:2pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:35 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供HSMS-2803-TR2G现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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