HSMS-2702-TR1G技术参数

制造厂商：AVAGO（安华高，博通BROADCOM）
类别封装：二极管 - 射频，封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
技术参数：DIODE SCHOTTKY 15V 250MW SOT23-3
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HSMS-2702-TR1G技术参数详情说明：

HSMS-2702-TR1G是一款由安华高科技（Avago Technologies，现隶属于Broadcom博通）设计生产的肖特基二极管对，采用紧凑的SOT-23-3封装。该器件内部集成了两个串联的肖特基二极管，这种架构使其在射频信号处理中能够提供对称的导通特性，特别适用于需要精确信号整流的平衡电路设计。其串联结构有助于在特定应用中实现更高的反向击穿电压容限，同时维持了肖特基二极管固有的低正向压降和快速开关速度优势。

该芯片的核心特性在于其优异的射频性能。在0V偏压和1MHz测试频率下，其结电容典型值仅为6.7pF，这一低电容特性对于高频应用至关重要，能有效减少信号路径上的寄生效应，确保信号完整性。同时，在100mA正向电流和1MHz条件下，其串联电阻低至650毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的效率。其最大反向峰值电压为15V，最大正向连续电流为350mA，最大功耗为250mW，这些参数共同定义了其在中小功率射频电路中的可靠工作边界。

在接口与参数层面，HSMS-2702-TR1G的SOT-23-3表面贴装封装使其非常适合高密度PCB布局。其工作结温高达150°C，提供了宽泛的环境温度适应性和良好的热可靠性。虽然该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能使其在既有系统和特定设计中仍有重要参考价值。对于需要此类经典射频二极管解决方案的工程师，可以通过专业的安华高中国代理渠道咨询库存或替代方案信息。

该器件典型的应用场景包括射频信号检波、混频器中的平衡二极管环、低功耗DC恢复电路以及高频信号限幅。其低电容和低串联电阻的组合，使其在高达数GHz的频率范围内仍能保持良好性能，常见于无线通信模块、测试测量设备及卫星接收前端等对器件高频特性敏感的领域。