HSMP-482B-TR2G技术参数

HSMP-482B-TR2G 是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的射频PIN二极管，采用先进的半导体工艺制造。该器件基于单PIN结架构，其核心在于一个高电阻率的本征（I）区夹在P型和N型半导体区域之间，这种结构使其在射频和微波频段展现出独特的电学特性。其设计优化了载流子在正向偏置下的注入与存储，以及在反向偏置下的耗尽过程，从而实现了对射频信号高效、快速的可控衰减与开关功能。

该二极管的关键性能体现在其卓越的射频特性上。在反向偏置条件下，其结电容极低，典型值仅为0.75pF @ 20V, 1MHz，这对于维持高频电路的高隔离度和低插入损耗至关重要。在正向偏置时，其串联电阻表现出色，典型值为600毫欧 @ 10mA, 100MHz，确保了信号在导通状态下的低损耗传输。器件能够承受高达50V的峰值反向电压和1A的最大电流，提供了宽裕的设计余量。其结温最高可达150°C，保证了在严苛环境下的可靠工作。

在接口与封装方面，HSMP-482B-TR2G采用了微型化的SC-70 (SOT-323)表面贴装封装。这种封装不仅节省了宝贵的PCB空间，非常适合高密度集成设计，其紧凑的物理结构也有助于减少寄生参数，优化高频性能。工程师在设计和采购时，可以通过正规的安华高代理渠道获取完整的技术支持和原厂品质保证。

凭借其优异的射频开关和衰减性能，该器件广泛应用于需要精密控制射频信号路径的场合。典型应用包括蜂窝基站、微波通信系统中的收发（T/R）开关和衰减器模块，测试测量设备中的可编程衰减器，以及有线电视（CATV）线路中的增益均衡与开关电路。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备和备件供应链中，它仍然是一个经过验证的高性能解决方案。

• 制造商产品型号：HSMP-482B-TR2G
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE PIN 50V SOT323
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：PIN - 单
• 电压-峰值反向（最大值）：50V
• 电流-最大值：1A
• 不同Vr、F时电容：0.75pF @ 20V，1MHz
• 不同If、F时电阻：600 毫欧 @ 10mA，100MHz
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：SC-70，SOT-323
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴，我们长期提供HSMP-482B-TR2G现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。