HSMP-4810-TR2G技术参数

制造厂商：AVAGO（安华高，博通BROADCOM）
类别封装：二极管 - 射频，封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
技术参数：RF DIODE PIN 100V SOT23-3
专注销售安华高电子元器件，承诺原装！现货当天发货！
您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购

点击下图下载技术文档

HSMP-4810-TR2G技术参数详情说明：

安华高科技（现隶属于Broadcom博通）推出的HSMP-4810-TR2G是一款采用SOT-23-3微型封装的单PIN射频二极管。该器件基于成熟的PIN二极管架构设计，其核心在于一个宽的本征（I）区夹在P型和N型半导体区域之间，这种结构使其在射频应用中表现出优异的特性。当处于零偏或反偏状态时，本征区表现为一个低损耗、电压可变的电容；而在正向偏置时，则表现为一个由少数载流子注入控制的低值电阻，这种可控的阻抗特性是其实现多种射频功能的基础。

该二极管的核心功能特点体现在其卓越的射频性能上。在50V反向偏压和1MHz测试条件下，其结电容典型值低至0.4pF，这一特性对于高频电路至关重要，能有效减少对电路调谐和匹配的影响，确保信号路径的纯净度。同时，在100mA正向电流和100MHz条件下，其串联电阻仅为3欧姆，保证了在开关或衰减状态下具有较低的插入损耗。器件能够承受高达100V的峰值反向电压，并支持最大1A的电流，结合其高达150°C的结温工作能力，赋予了其良好的鲁棒性和可靠性，适用于要求苛刻的工业环境。

在接口与参数方面，HSMP-4810-TR2G采用标准的TO-236-3（SC-59， SOT-23-3）三引脚封装，便于在紧凑的PCB空间内进行表贴安装和布局。其电气参数，如低电容、低电阻和高击穿电压的组合，定义了一个清晰的设计窗口。工程师在选用时，可通过专业的安华高代理商获取完整的数据手册，以精确评估其在特定频率、偏置条件下的性能曲线，从而进行最优化电路设计。

基于上述技术特性，该器件主要面向高频信号控制与处理的应用场景。它常被用作射频开关中的核心切换元件，利用其正向导通与反向截止状态下阻抗的巨大差异，实现信号路径的高速通断。其次，在可调衰减器和限幅器设计中，通过控制其偏置电流来连续调节串联电阻值，从而实现精准的射频信号幅度控制或过载保护。此外，在移动通信基站、测试测量设备以及宽带接收机的前端电路中，也能发现其作为高性能调谐或调制元件的应用。