

HSMP-389F-BLKG技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:二极管 - 射频,封装:SC-70,SOT-323
- 技术参数:RF DIODE PIN 100V SOT323
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HSMP-389F-BLKG技术参数详情说明:
在射频前端与开关控制电路中,HSMP-389F-BLKG是一款采用先进PIN结构设计的射频二极管。其核心架构为一对共阴极配置的PIN二极管,这种设计在单一封装内集成了两个高性能单元,特别适合于需要对称或差分信号处理的电路布局。PIN结构固有的低电容、低电阻特性,使其在射频信号路径中能够实现高效的开关与调制功能,同时保持出色的线性度。
该器件的关键性能体现在其卓越的射频参数上。在5V反向偏压和1MHz测试条件下,其结电容典型值低至0.3pF,这极大地减少了高频信号路径中的寄生效应,确保了信号完整性。同时,在5mA正向电流和100MHz条件下,其串联电阻仅为2.5欧姆,实现了低插入损耗,这对于维持系统增益和效率至关重要。其峰值反向电压高达100V,最大正向电流为1A,提供了宽裕的工作裕量和可靠性保障。尽管该产品目前已处于停产状态,但其技术指标在同类设计中仍具参考价值,用户可通过可靠的安华高代理商咨询库存或替代方案。
在物理实现上,HSMP-389F-BLKG采用了紧凑的SC-70(SOT-323)表面贴装封装。这种微型封装不仅节省了宝贵的PCB空间,适用于高密度集成设计,其良好的热性能也支持高达150°C的结温工作环境,适应严苛的应用条件。其接口特性明确,便于在高速开关矩阵、可调衰减器或限幅器电路中实现精准的阻抗匹配与布局。
综合其技术特性,该器件典型应用于蜂窝基站、微波通信链路、测试测量设备以及高性能射频开关等场景。其低电容特性使其在GHz频段的信号切换中表现出色,而低电阻则保障了通道的导通效率。在需要快速切换、高隔离度或精密信号控制的射频前端模块中,它能有效提升系统的整体动态范围和信号质量。
- 制造商产品型号:HSMP-389F-BLKG
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:RF DIODE PIN 100V SOT323
- 系列:二极管 - 射频
- 零件状态:停产
- 二极管类型:PIN - 1 对共阴极
- 电压-峰值反向(最大值):100V
- 电流-最大值:1A
- 不同Vr、F时电容:0.3pF @ 5V,1MHz
- 不同If、F时电阻:2.5 欧姆 @ 5mA,100MHz
- 功率耗散(最大值):-
- 工作温度:150°C(TJ)
- 封装:SC-70,SOT-323
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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