HSMP-386L-TR2G技术参数

HSMP-386L-TR2G是安华高科技（现隶属于Broadcom博通）推出的一款高性能射频PIN二极管阵列，采用紧凑的SOT-363（SC-88）封装。该器件集成了三个独立的PIN二极管于单一芯片上，其核心架构基于成熟的PIN半导体工艺，每个二极管单元在反向偏置下呈现极低的结电容，在正向偏置下则提供可控的低电阻状态，这种特性使其成为射频信号路径控制（如开关、衰减）的理想选择。

该芯片的功能特点突出体现在其优异的射频性能上。在50V反向偏压、1MHz测试条件下，其典型结电容低至0.2pF，这确保了在高频应用中对信号路径的插入损耗影响极小，保持了信号的完整性。同时，在100mA正向电流、100MHz条件下，其典型串联电阻仅为1.5欧姆，这为信号在“导通”状态下提供了低损耗的通道。其峰值反向电压高达50V，最大正向电流为1A，结合高达150°C的结温工作能力，赋予了其良好的鲁棒性和可靠性，能够适应较为严苛的电路环境。

在接口与参数方面，该器件采用6引脚TSSOP封装，便于在密集的PCB布局中进行表面贴装。三个独立的二极管单元为电路设计提供了高度的灵活性，可以配置用于单刀多掷（SPnT）开关、可调衰减器或限幅器等不同拓扑结构。其优异的电容-电压（C-V）与电阻-电流（R-I）特性曲线，使得设计工程师能够精确预测和控制其在特定偏置条件下的射频性能。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过安华高中国代理获取相关的技术支持和产品信息。

鉴于其高性能和集成化设计，HSMP-386L-TR2G非常适合应用于对尺寸和性能有严格要求的射频前端模块中。典型应用场景包括蜂窝基站、微波通信系统中的射频开关与衰减网络、测试与测量设备中的信号路由，以及卫星通信终端等。尽管其零件状态已标注为停产，但其设计理念和性能参数仍为同类射频控制元器件的选型与评估提供了重要参考。

• 制造商产品型号：HSMP-386L-TR2G
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE PIN 50V SOT363
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：PIN - 3 个独立
• 电压-峰值反向（最大值）：50V
• 电流-最大值：1A
• 不同Vr、F时电容：0.2pF @ 50V，1MHz
• 不同If、F时电阻：1.5 欧姆 @ 100mA，100MHz
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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