

HSMP-386C-TR1技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:二极管 - 射频,封装:SC-70,SOT-323
- 技术参数:RF DIODE PIN 50V SOT323
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HSMP-386C-TR1技术参数详情说明:
HSMP-386C-TR1是安华高科技(现隶属于Broadcom博通)推出的一款高性能射频PIN二极管,采用串联对管架构,封装于紧凑的SC-70(SOT-323)外壳中。该器件专为需要快速开关和优异线性度的射频信号控制与调制电路而设计,其核心在于利用PIN结构在正向偏置下呈现低阻抗、反向偏置下呈现高阻抗的特性,实现对射频信号路径的高效切换与衰减。
该二极管的一个显著特点是其极低的结电容,在50V反向偏压和1MHz测试条件下,典型值仅为0.2pF。这一特性使其在高达数GHz的高频范围内仍能保持出色的隔离度,对信号路径的插入损耗影响极小。同时,在100mA正向电流和100MHz条件下,其串联电阻低至1.5欧姆,确保了在导通状态下具有很低的插入损耗和良好的功率处理能力。其峰值反向电压高达50V,最大正向电流为1A,结合高达150°C的结温工作能力,赋予了其可靠的鲁棒性,适用于要求苛刻的工业环境。
在接口与参数方面,HSMP-386C-TR1采用标准的三引脚SOT-323封装,便于自动化表面贴装(SMT)生产,并节省宝贵的PCB空间。其电气参数经过优化,在宽频带内提供了稳定的性能。虽然该产品目前已处于停产状态,但其设计理念和性能指标在同类射频开关与衰减器应用中仍具有参考价值。对于需要寻找替代方案或库存支持的工程师,可以咨询专业的安华高代理商以获取最新的产品信息和技术支持。
该器件典型的应用场景包括蜂窝基站、微波通信系统中的射频开关矩阵、可编程衰减器、以及雷达系统的发射/接收(T/R)模块。其快速开关特性也适用于需要高速调制的场景。凭借其小型化封装和稳定的射频性能,HSMP-386C-TR1曾是设计紧凑型、高性能射频前端模块时的优选元件之一。
- 制造商产品型号:HSMP-386C-TR1
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:RF DIODE PIN 50V SOT323
- 系列:二极管 - 射频
- 零件状态:停产
- 二极管类型:PIN - 1 对串联
- 电压-峰值反向(最大值):50V
- 电流-最大值:1A
- 不同Vr、F时电容:0.2pF @ 50V,1MHz
- 不同If、F时电阻:1.5 欧姆 @ 100mA,100MHz
- 功率耗散(最大值):-
- 工作温度:150°C(TJ)
- 封装:SC-70,SOT-323
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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