

HSMP-3862-TR1技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 技术参数:RF DIODE PIN 50V SOT23-3
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HSMP-3862-TR1技术参数详情说明:
作为一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频二极管,HSMP-3862-TR1采用了独特的串联PIN二极管对架构。这种结构将两个PIN二极管单元集成在单一芯片上并串联连接,为射频信号控制提供了对称且平衡的电气路径,特别适用于需要高隔离度或精确衰减的电路设计。其核心半导体材料与结型设计,确保了在射频及微波频段内,能够实现快速、低损耗的开关与调制功能。
该器件在功能上表现出色,其关键特性在于极低的寄生参数。在50V反向偏压、1MHz测试条件下,其结电容典型值仅为0.2pF,这一特性显著降低了高频信号路径中的容性负载,有助于维持系统带宽和信号完整性。同时,在100mA正向电流、100MHz条件下,其串联电阻低至1.5欧姆,这直接转化为更低的插入损耗和更高的功率处理能力,对于提升射频前端的效率至关重要。其峰值反向电压高达50V,最大正向电流为1A,结合150°C的最高结温,赋予了其在严苛环境下的可靠工作能力。
在接口与参数方面,HSMP-3862-TR1采用了行业标准的SOT-23-3表面贴装封装(亦称为TO-236-3或SC-59),这种紧凑的封装形式非常适合于高密度PCB布局,满足了现代便携式与小型化通信设备的设计需求。其电气参数,如低电容、低电阻与高击穿电压的组合,定义了一个清晰的应用边界,工程师可以依据这些参数精确地将该器件集成到天线开关矩阵、可调衰减器、限幅器或高速调制电路中。
基于上述技术特点,该芯片典型应用于蜂窝基站、无线基础设施、测试与测量设备以及军用通信系统中的射频信号路径控制。它能够高效地执行信号切换、衰减调制和脉冲整形等任务。尽管该产品目前已处于停产状态,但对于特定存量设备维护或既有设计参考仍具价值。在需要获取此类原厂品质的博通(Broadcom)射频元件时,通过正规的安华高代理渠道进行咨询与采购,是确保元器件可靠性与技术支援的关键。
- 制造商产品型号:HSMP-3862-TR1
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:RF DIODE PIN 50V SOT23-3
- 系列:二极管 - 射频
- 零件状态:停产
- 二极管类型:PIN - 1 对串联
- 电压-峰值反向(最大值):50V
- 电流-最大值:1A
- 不同Vr、F时电容:0.2pF @ 50V,1MHz
- 不同If、F时电阻:1.5 欧姆 @ 100mA,100MHz
- 功率耗散(最大值):-
- 工作温度:150°C(TJ)
- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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