

HSMP-3833-BLKG技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 技术参数:RF DIODE PIN 200V 250MW SOT23-3
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HSMP-3833-BLKG技术参数详情说明:
HSMP-3833-BLKG是一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频PIN二极管,采用紧凑的SOT-23-3封装。该器件采用一对共阳极配置的PIN结构,这种架构在射频信号路径中提供了优异的线性度和可控的阻抗特性。其核心在于本征(I)层的设计,能够在正向偏置时存储电荷,从而实现快速开关和低失真调制,而在反向偏置时,则呈现出极低的结电容,使其非常适合高频应用中的信号切换与衰减。
该二极管的关键性能体现在其射频参数上。在反向偏置条件下,其结电容典型值低至0.3pF @ 50V,1MHz,这确保了在高频段(如UHF及以上)信号路径中引入的容性负载极小,有助于维持系统带宽和信号完整性。在正向偏置时,其串联电阻典型值为1.5欧姆 @ 100mA,100MHz,较低的导通电阻意味着更低的插入损耗,这对于需要高效信号通路的开关和衰减器设计至关重要。此外,其200V的峰值反向电压和150°C的最高结温提供了宽裕的工作安全裕度。
在接口与参数方面,HSMP-3833-BLKG采用标准的SOT-23-3表面贴装封装,便于自动化生产并节省电路板空间。其最大功耗为250mW,最大正向电流为1A,这些参数定义了其适用的功率等级。虽然该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和可靠的性能使其在特定领域仍有应用价值。对于需要寻找替代方案或库存支持的工程师,可以咨询专业的AVAGO代理商以获取相关支持。
基于其技术特性,HSMP-3833-BLKG主要面向需要高性能射频控制的场景。它常被用于通信基础设施,如基站中的射频开关矩阵和可编程衰减器,以实现信号路由和功率电平的精确控制。在测试与测量设备中,它可用于构建宽带信号切换模块。此外,在军用通信、卫星通信终端等对线性度和可靠性要求极高的系统中,此类低电容、快速响应的PIN二极管也是关键元件之一。
- 制造商产品型号:HSMP-3833-BLKG
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:RF DIODE PIN 200V 250MW SOT23-3
- 系列:二极管 - 射频
- 零件状态:停产
- 二极管类型:PIN - 1 对共阳极
- 电压-峰值反向(最大值):200V
- 电流-最大值:1A
- 不同Vr、F时电容:0.3pF @ 50V,1MHz
- 不同If、F时电阻:1.5 欧姆 @ 100mA,100MHz
- 功率耗散(最大值):250mW
- 工作温度:150°C(TJ)
- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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