

HSMP-3823-TR2G技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 技术参数:RF DIODE PIN 50V SOT23-3
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HSMP-3823-TR2G技术参数详情说明:
HSMP-3823-TR2G是一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频PIN二极管,采用紧凑型SOT-23-3封装。该器件内部集成了一对共阳极配置的PIN二极管,这种架构使其在射频开关、衰减器以及限幅器电路中能够实现高效的信号路径切换与控制。其核心优势在于极低的结电容与串联电阻,在20V反向偏压和1MHz测试条件下,典型结电容仅为0.8pF,而在10mA正向偏置和100MHz条件下,串联电阻低至600毫欧,这确保了器件在高频段(通常可达数GHz)仍能保持优异的射频性能,插入损耗极低,隔离度良好。
该芯片的功能特点突出体现在其快速开关能力与高功率处理潜力上。作为一款射频开关元件,其低电容特性直接转化为高速的开关响应,适用于需要快速切换信号通道的应用。同时,高达50V的峰值反向电压和1A的最大正向电流额定值,赋予了它较强的射频信号处理能力和一定的功率耐受性。其工作结温高达150°C,提升了在苛刻环境下的可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过专业的安华高芯片代理渠道获取相关产品信息与技术支持。
在接口与参数方面,HSMP-3823-TR2G采用标准的三引脚SOT-23-3(TO-236-3)封装,便于PCB布局和自动化贴装。其电气参数明确指向高频应用:极低的电容保证了宽频带内的良好匹配,而低的串联电阻则最小化了导通状态下的信号衰减。这些参数共同定义了一个高性能射频控制元件的边界,使其能够在特定的偏置条件下,精确地表现为一个可控的电阻或一个近乎理想的开关。
尽管该产品目前已处于停产状态,但其典型应用场景依然具有参考价值,主要集中于对高频性能有严格要求的领域。例如,在移动通信基站、微波中继设备、测试与测量仪器中,它可用于构建低损耗的射频开关矩阵或可编程衰减器。在雷达接收前端,其快速响应特性可用于限幅保护电路。此外,在CATV系统、卫星通信终端等高频电子设备中,也能找到其用于信号路由和调制的设计案例。
- 制造商产品型号:HSMP-3823-TR2G
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:RF DIODE PIN 50V SOT23-3
- 系列:二极管 - 射频
- 零件状态:停产
- 二极管类型:PIN - 1 对共阳极
- 电压-峰值反向(最大值):50V
- 电流-最大值:1A
- 不同Vr、F时电容:0.8pF @ 20V,1MHz
- 不同If、F时电阻:600 毫欧 @ 10mA,100MHz
- 功率耗散(最大值):-
- 工作温度:150°C(TJ)
- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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