HSMP-381C-TR1G技术参数

HSMP-381C-TR1G是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的射频PIN二极管，采用串联对管架构，封装于紧凑的SC-70（SOT-323）贴片封装中。该器件专为高频信号控制与处理电路而优化，其核心在于利用PIN结构在正向偏置下呈现低阻抗、反向偏置下呈现高阻抗且电容极低的特性，实现对射频信号路径的高效切换、衰减或调制。

该芯片在射频性能上表现出色，其关键参数定义了其在电路中的核心能力。在反向偏置50V、1MHz测试条件下，其结电容典型值低至0.35pF，这一极低的电容值确保了在高频乃至微波频段下，二极管对信号通路的插入损耗和相位影响降至最低，保持了信号完整性。同时，在正向偏置100mA、100MHz条件下，其串联电阻仅为3欧姆，这为其在导通状态下提供了优异的低插入损耗特性。结合高达100V的峰值反向电压和1A的最大正向电流能力，使其能够承受较高的射频功率和瞬态冲击，具备良好的鲁棒性。其工作结温高达150°C，适应严苛的工作环境。

在接口与物理特性方面，HSMP-381C-TR1G采用标准的三引脚SOT-323封装，便于自动化贴装并节省PCB空间。其内部为串联对管结构，这种设计在构建单刀单掷（SPST）开关或衰减器时，能提供更高的隔离度。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的安华高芯片代理渠道进行咨询与采购。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时需评估替代方案或库存可用性。

基于其技术特性，HSMP-381C-TR1G非常适合应用于需要高性能射频开关、可调衰减器以及限幅器的场合。典型应用领域包括蜂窝基站、无线通信基础设施、测试与测量设备中的信号路径选择，以及雷达系统中的收发切换模块。其优异的电容与电阻参数组合，使其在L波段至S波段（约1-4GHz）的应用中能保持卓越的性能，是实现高线性度、低失真射频前端控制功能的关键元器件之一。

• 制造商产品型号：HSMP-381C-TR1G
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE PIN 100V SOT323
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：PIN - 1 对串联
• 电压-峰值反向（最大值）：100V
• 电流-最大值：1A
• 不同Vr、F时电容：0.35pF @ 50V，1MHz
• 不同If、F时电阻：3 欧姆 @ 100mA，100MHz
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：SC-70，SOT-323
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴，我们长期提供HSMP-381C-TR1G现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。