HSMP-381C-BLKG技术参数

作为一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的射频PIN二极管，HSMP-381C-BLKG采用了一对串联的PIN结构，这种架构使其在射频信号控制应用中表现出色。其核心在于利用PIN二极管在正向偏置下呈现低阻抗、反向偏置下呈现高阻抗的特性，结合其极低的结电容，能够实现对高频信号路径的高效切换与衰减。该器件采用紧凑的SC-70（SOT-323）封装，非常适合高密度PCB布局，尽管其零件状态已标记为停产，但在许多现有系统和备件供应中仍具有重要价值，用户可通过可靠的安华高一级代理获取库存或替代方案咨询。

该二极管的功能特点突出体现在其优异的射频性能参数上。在50V反向偏压和1MHz测试条件下，其结电容典型值仅为0.35pF，这一极低的电容值确保了在高频工作状态下，由器件本身引入的信号损耗和相位失真被降至最低。同时，在100mA正向电流和100MHz条件下，其串联电阻仅为3欧姆，这赋予了它出色的导通状态插入损耗特性。高达100V的峰值反向电压和1A的最大电流能力，为其在承受一定功率冲击时提供了可靠的鲁棒性保障，而150°C的最高结温（TJ）则拓宽了其在高温环境下的应用边界。

在接口与关键参数方面，HSMP-381C-BLKG作为一款两端子器件，其电气接口简洁，但性能内涵丰富。除了上述的电容、电阻、电压与电流参数外，其串联对管结构特别适用于需要更高功率处理能力或更优隔离度的电路设计。紧凑的SOT-323表面贴装封装不仅节省空间，也优化了高频下的寄生参数。这些参数共同定义了一个适用于VHF至微波频段信号控制的高性能开关与衰减单元。

基于其技术特性，HSMP-381C-BLKG典型的应用场景集中在需要精密控制射频信号路径的领域。它常被用于蜂窝基站、无线通信设备中的射频开关电路，实现收发通道的切换；在可编程衰减器中作为核心控制元件；也适用于雷达系统、测试测量仪器中的信号调制与保护电路。其高反向电压和低寄生参数特性，使其在要求高隔离度和低插入损耗的高频前端设计中曾是备受青睐的选择。

• 制造商产品型号：HSMP-381C-BLKG
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE PIN 100V SOT323
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：PIN - 1 对串联
• 电压-峰值反向（最大值）：100V
• 电流-最大值：1A
• 不同Vr、F时电容：0.35pF @ 50V，1MHz
• 不同If、F时电阻：3 欧姆 @ 100mA，100MHz
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：SC-70，SOT-323
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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