HSMP-381B-TR1G技术参数

作为安华高科技（现隶属于Broadcom博通）射频二极管系列中的一款经典产品，HSMP-381B-TR1G是一款采用SOT-323（SC-70）微型封装的单PIN二极管。其核心架构基于高性能的PIN结设计，该结构在射频和微波频段下展现出优异的电学特性，通过在P型和N型半导体之间引入一层本征（I）区，实现了在正向偏置下作为低电阻开关、在反向偏置下作为可变电容的功能，这是其能够胜任高频电路控制与调谐任务的基础。

该器件的功能特点突出体现在其卓越的高频性能与紧凑尺寸的结合上。在1MHz频率、50V反向偏压条件下，其结电容典型值低至0.35pF，这一特性对于维持高频信号路径的完整性、最小化插入损耗至关重要。同时，在100mA正向电流、100MHz条件下，其串联电阻仅为3欧姆，确保了在开关或衰减器应用中具备较低的导通损耗。其能够承受高达100V的峰值反向电压，并支持最大1A的电流，提供了宽泛的工作裕量。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计规格在同类微型封装器件中依然具有参考价值，用户可通过安华高代理渠道咨询库存或替代方案。

在接口与关键参数方面，HSMP-381B-TR1G采用三引脚的SOT-323表面贴装封装，便于集成到高密度的PCB布局中。其工作结温高达150°C，增强了在高温环境下的可靠性。极低的寄生电容和电阻参数，使其能够有效工作到微波频段，而100V的反向击穿电压则提升了其在需要处理较高射频功率或存在电压尖峰环境中的耐用性。

基于上述特性，HSMP-381B-TR1G非常适合应用于对尺寸和性能有苛刻要求的射频前端模块。典型应用场景包括蜂窝基站、无线通信设备中的射频开关与衰减器电路，用于实现信号路径的选择与功率控制；在电压控制衰减器（VCA）或可调滤波器中作为可变电容元件；也可用于仪器仪表、雷达系统中的高频信号调制与保护电路。其微型化封装尤其契合现代移动设备与小型化射频模组的设计趋势。

• 制造商产品型号：HSMP-381B-TR1G
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE PIN 100V SOT323
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：PIN - 单
• 电压-峰值反向（最大值）：100V
• 电流-最大值：1A
• 不同Vr、F时电容：0.35pF @ 50V，1MHz
• 不同If、F时电阻：3 欧姆 @ 100mA，100MHz
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：SC-70，SOT-323
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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