

HSMP-3810-TR1G技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 技术参数:RF DIODE PIN 100V SOT23-3
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HSMP-3810-TR1G技术参数详情说明:
HSMP-3810-TR1G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频PIN二极管。该器件采用经典的PIN结构,其核心在于一个高电阻率的本征(I)区夹在P型和N型半导体层之间,这种架构使其在射频和微波频段展现出独特的电学特性。本征区的存在使得二极管在正向偏置时能够存储电荷,表现为一个受电流控制的可变电阻;而在反向偏置或零偏置时,则表现为一个与电压相关的极小电容,这一特性是其实现射频开关、衰减及调制功能的基础。
该二极管的功能特点突出体现在其优异的射频性能上。其极低的结电容,在50V反向偏压和1MHz测试条件下仅为0.35pF,这确保了在高频信号路径中引入的寄生电容极小,从而最大限度地减少了对信号完整性的影响,维持了良好的高频隔离度。同时,在100mA正向偏流和100MHz条件下,其串联电阻低至3欧姆,这意味着在导通状态下能够实现较低的插入损耗,保证信号高效传输。结合高达100V的峰值反向电压和1A的最大正向电流,器件具备了良好的功率处理能力和可靠性。其工作结温高达150°C,进一步拓宽了其在严苛环境下的应用范围。
在接口与参数方面,HSMP-3810-TR1G采用标准的SOT-23-3(也称为TO-236-3或SC-59)表面贴装封装,这种紧凑的封装形式非常适合高密度的PCB布局,便于自动化生产。其电气参数定义明确,为电路设计工程师提供了精确的设计依据。虽然该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和稳定的性能在过往及现有系统中仍被广泛认可,通过可靠的安华高代理渠道,依然可以获取库存或替代方案支持。
基于上述技术特性,HSMP-3810-TR1G非常适合应用于需要高性能射频控制的场景。典型应用包括蜂窝基站、无线通信设备中的射频开关电路,用于实现信号在不同通道间的切换;在可调衰减器中作为可变电阻元件,实现信号强度的精密控制;此外,也常用于雷达系统、测试测量仪器以及有线电视(CATV)设备中的增益均衡与调制模块。其在小信号和大信号处理中表现出的线性度与速度,使其成为射频前端设计中一个经典且关键的无源有源器件。
- 制造商产品型号:HSMP-3810-TR1G
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:RF DIODE PIN 100V SOT23-3
- 系列:二极管 - 射频
- 零件状态:停产
- 二极管类型:PIN - 单
- 电压-峰值反向(最大值):100V
- 电流-最大值:1A
- 不同Vr、F时电容:0.35pF @ 50V,1MHz
- 不同If、F时电阻:3 欧姆 @ 100mA,100MHz
- 功率耗散(最大值):-
- 工作温度:150°C(TJ)
- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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