HFBR-779BWZ技术参数

作为一款面向高速数据中心和网络设备的光通信核心组件，HFBR-779BWZ采用了安华高科技（现隶属于Broadcom博通）成熟的多通道垂直腔面发射激光器（VCSEL）阵列架构。该架构在850nm短波长窗口工作，通过高度集成的12通道并行光学引擎，实现了每通道高达2.7Gb/s的数据传输速率，总带宽可达32.4Gb/s。其核心优势在于将激光器阵列、驱动电路与标准化的MTP（MPO）光纤接口进行了一体化封装，确保了信号在电-光转换过程中的高保真度和通道间的一致性，为构建高密度、低功耗的并行光链路提供了坚实的基础。

该器件集成了多项关键功能特性，以满足苛刻的工业应用环境。其850nm的VCSEL光源具有低阈值电流和出色的温度稳定性，配合0.4nm的窄频谱带宽，有效降低了多模光纤中的模态色散，保障了在OM3/OM4多模光纤上中短距离传输的信号完整性。内置的0.1F去耦电容优化了电源噪声抑制能力，提升了整体系统的电磁兼容性。其标准化的MTP（MPO）多芯光纤连接器接口，支持即插即用，极大地简化了系统背板或面板的光纤布线复杂度，是实现高密度、可扩展光互连方案的关键。

在电气接口和光学参数方面，HFBR-779BWZ的设计充分考虑了系统集成的便利性与可靠性。它采用标准的低电压差分信号（LVDS）电气接口，与主流的高速串行/解串器（SerDes）芯片兼容。其光学输出经过严格校准，确保每个通道的光功率和消光比满足行业规范，从而在62.5/125m或50/125m多模光纤上支持长达数百米的可靠传输。对于需要批量采购和稳定供应链保障的客户，可以通过专业的安华高代理商获取完整的技术支持、样品以及供货服务。

基于其高性能与高密度的特点，HFBR-779BWZ主要应用于需要极高数据吞吐量的场景。它是构建InfiniBand QDR、40GbE（如40GBASE-SR4）以及早期100GbE（通过多通道聚合）等高速互连标准的物理层关键部件。典型应用领域包括企业级和数据中心的高性能计算（HPC）集群、核心与汇聚层交换机、存储区域网络（SAN）以及任何需要机架内或机架间高速、低延迟数据交换的场合，为现代数据中心的扁平化、无阻塞网络架构提供了可靠的物理层解决方案。

• 制造商产品型号：HFBR-779BWZ
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：XMITTER 12X2.7GBD 62.5UM FO
• 系列：-
• 波长：850nm
• 频谱带宽：0.4nm
• 电压 - 正向 (Vf)（典型值）：-
• 电流 - DC 正向 (If)：-
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：-
• 电容：0.1F
• 连接器类型：MTP（MPO）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴，我们长期提供HFBR-779BWZ现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。