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HFBR-779BEWZ技术参数

  • 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
  • 类别封装:离散式光纤发射器,MTP
  • 技术参数:XMITTER 12X2.7GBD 62.5UM FO
  • 专注销售安华高电子元器件,承诺原装!现货当天发货!
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HFBR-779BEWZ技术参数详情说明:

作为一款高性能光纤发射器,HFBR-779BEWZ采用了安华高科技(现隶属于Broadcom博通)成熟的VCSEL(垂直腔面发射激光器)技术作为其核心光源。该器件内部集成了850nm波长的VCSEL阵列、驱动电路以及监控光电二极管,共同封装在一个紧凑的MTP(MPO)多光纤推拉式连接器外壳内。这种高度集成的架构确保了在12通道并行光纤传输中,每个通道都能实现稳定、同步的光信号输出,为数据中心内部的高速互连提供了物理层基础。

该发射器的功能设计紧密围绕高密度、高带宽的数据传输需求。其标称数据传输速率高达每通道2.7Gb/s,12个通道并行工作可提供极高的聚合带宽,足以应对现代数据中心服务器集群和交换机之间日益增长的数据交换压力。器件工作在850nm短波长窗口,与多模光纤(特别是62.5/125m规格)具有良好的匹配性,能够有效支持数百米距离内的可靠通信。其内部集成的0.1F去耦电容有助于滤除电源噪声,提升信号完整性,而标准化的MTP接口则极大地简化了系统布线、维护和升级的流程。

在电气接口和光学参数方面,HFBR-779BEWZ体现了面向应用的优化设计。它采用标准的+3.3V电源供电,兼容主流通信设备的设计规范。其850nm的发射波长配合约0.4nm的典型频谱带宽,有效降低了在多模光纤中因色散效应导致的信号劣化,保证了在OM1/OM2等多模光纤链路上的传输质量。用户通过专业的安华高代理商获取该产品时,不仅能获得器件本身,通常还能获得完整的技术支持,包括眼图模板、推荐驱动电路以及热管理建议,以帮助实现最佳的系统性能。

基于上述技术特性,HFBR-779BEWZ主要定位于需要极高内部带宽的数据中心与高性能计算(HPC)环境。它非常适合用于构建InfiniBand QDR、40Gb/s以太网(如40GBASE-SR4)以及专有高速互连协议的骨干链路,连接机架顶(ToR)交换机、核心交换机以及存储区域网络(SAN)中的关键设备。此外,在金融交易系统、大型云服务平台以及科研计算集群中,这类高密度、低延迟的光模块也是实现快速数据交换和处理的理想选择。

  • 制造商产品型号:HFBR-779BEWZ
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:XMITTER 12X2.7GBD 62.5UM FO
  • 系列:-
  • 波长:850nm
  • 频谱带宽:0.4nm
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值):-
  • 电流 - DC 正向 (If):-
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):-
  • 电容:0.1F
  • 连接器类型:MTP(MPO)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供HFBR-779BEWZ现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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