

HCNW139技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:光隔离器 - 晶体管,光电输出,封装:8-DIP(0.400,10.16mm)
- 技术参数:OPTOISO 5KV DARL W/BASE 8DIP
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HCNW139技术参数详情说明:
HCNW139是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的高性能光隔离器,采用经典的8引脚DIP通孔封装,为工业控制和电力电子系统提供了可靠的信号隔离解决方案。其核心架构基于光耦合技术,通过内部集成的发光二极管(LED)与光敏达林顿晶体管对实现电气隔离。这种设计确保了输入侧与输出侧之间高达5000Vrms的电气隔离强度,能够有效阻断地线环路、抑制共模噪声,并保护低压控制电路免受高压侧浪涌或故障的损害。
该器件集成了带基极引脚的达林顿晶体管输出级,这一设计显著提升了电流传输能力与驱动效率。其电流传输比(CTR)最小值高达200% @ 12mA,意味着在较低的输入电流下即可获得较大的输出电流,从而降低了前级驱动电路的负担。输出晶体管的最大集电极-发射极电压为18V,连续输出电流能力达60mA,足以驱动继电器、小型固态继电器或作为微控制器与功率电路之间的接口。其典型的接通与关断时间均为11s,响应速度能够满足多数中低速开关与控制应用的需求。
在接口与电气参数方面,HCNW139支持直流输入,正向压降(Vf)典型值为1.45V,最大正向电流(If)为20mA,设计时需据此配置合适的限流电阻。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C,确保了在严苛工业环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链与技术支持的用户,可以通过官方授权的安华高一级代理获取原装正品与完整的技术资料。
凭借其高隔离电压、高电流传输比和达林顿输出结构,该芯片广泛应用于电机驱动、开关电源、可编程逻辑控制器(PLC)I/O模块、测试测量设备以及各类需要电气隔离的模拟或数字信号传输场合。它为系统设计工程师提供了一种经过验证的、高性价比的隔离方案,有效提升了系统的安全性与抗干扰能力。
- 制造商产品型号:HCNW139
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:OPTOISO 5KV DARL W/BASE 8DIP
- 系列:光隔离器 - 晶体管,光电输出
- 零件状态:有源
- 通道数:1
- 电压-隔离:5000Vrms
- 电流传输比(最小值):200% @ 12mA
- 电流传输比(最大值):-
- 接通/关断时间(典型值):11s,11s
- 上升/下降时间(典型值):-
- 输入类型:DC
- 输出类型:有基极的达林顿晶体管
- 电压-输出(最大值):18V
- 电流-输出/通道:60mA
- 电压-正向(Vf)(典型值):1.45V
- 电流-DC正向(If)(最大值):20mA
- Vce饱和压降(最大):-
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 安装类型:通孔
- 封装:8-DIP(0.400,10.16mm)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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