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HCNW138-000E技术参数

  • 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
  • 类别封装:光隔离器 - 晶体管,光电输出,封装:8-DIP(0.400,10.16mm)
  • 技术参数:OPTOISO 5KV DARL W/BASE 8DIP
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HCNW138-000E技术参数详情说明:

HCNW138-000E是一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计制造的单通道、高隔离电压光耦合器。该器件采用经典的8引脚DIP通孔封装,其核心架构基于光隔离原理,通过内部LED发射红外光,驱动一个集成了基极引脚的达林顿晶体管输出级,实现了输入与输出侧之间高达5000Vrms的电气隔离。这种设计确保了信号在恶劣电气环境或存在高共模电压差的情况下,能够被安全、可靠地传输,同时有效抑制地线环路噪声和瞬态高压干扰。

该器件具备多项突出的功能特性。其高达300%的最小电流传输比(CTR)在输入电流仅为1.6mA时即可实现,这意味着它具备极高的输入侧驱动效率,能够显著降低对前级电路的电流需求,简化系统设计并降低功耗。输出侧采用有基极引脚的达林顿晶体管结构,不仅提供了高达60mA的集电极输出电流能力,还通过外接基极电阻为用户提供了额外的开关速度调节自由度,增强了设计的灵活性。其典型的开关时间参数,如11s的接通时间和70s的关断时间,使其能够胜任中低速的数字信号隔离与开关控制任务。

在电气接口与参数方面,HCNW138-000E的输入侧LED正向压降典型值为1.45V,最大正向电流为20mA,设计时需配置合适的限流电阻。输出晶体管的最大集电极-发射极电压为7V,用户需根据负载电压合理选择供电。其宽泛的工作温度范围(-40°C至85°C)确保了器件在工业级应用环境下的稳定性和可靠性。对于需要可靠元器件供应的项目,可以通过专业的安华高中国代理渠道获取原装正品和技术支持。

基于其高隔离电压、高电流传输比和强输出驱动能力,HCNW138-000E非常适合应用于工业自动化控制系统中的PLC I/O模块隔离、电机驱动电路中的信号隔离与电平转换、开关电源的反馈环路隔离,以及各类需要抑制噪声、保护低压控制电路免受高压侧干扰的场合。其达林顿输出结构也常用于驱动继电器、小型固态继电器或作为微控制器与功率电路之间的缓冲接口。

  • 制造商产品型号:HCNW138-000E
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:OPTOISO 5KV DARL W/BASE 8DIP
  • 系列:光隔离器 - 晶体管,光电输出
  • 零件状态:有源
  • 通道数:1
  • 电压-隔离:5000Vrms
  • 电流传输比(最小值):300% @ 1.6mA
  • 电流传输比(最大值):-
  • 接通/关断时间(典型值):11s,70s
  • 上升/下降时间(典型值):-
  • 输入类型:DC
  • 输出类型:有基极的达林顿晶体管
  • 电压-输出(最大值):7V
  • 电流-输出/通道:60mA
  • 电压-正向(Vf)(典型值):1.45V
  • 电流-DC正向(If)(最大值):20mA
  • Vce饱和压降(最大):-
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 安装类型:通孔
  • 封装:8-DIP(0.400,10.16mm)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供HCNW138-000E现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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