

HBAT-540B-BLKG技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:二极管 - 射频,封装:SC-70,SOT-323
- 技术参数:DIODE SCHOTTKY 30V 825MW SOT323
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HBAT-540B-BLKG技术参数详情说明:
HBAT-540B-BLKG是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的肖特基二极管,隶属于射频二极管系列。该器件采用单芯片肖特基结构,其核心优势在于利用金属-半导体结原理,相较于传统PN结二极管,具备更低的正向压降和更快的开关速度,这使其在射频及高速开关应用中表现出色。其内部架构经过优化,旨在最小化寄生参数,从而在高频环境下维持稳定的电气性能。
该二极管的关键特性包括30V的最大峰值反向电压和430mA的最大正向电流,这为其在低压、中电流的电路环境中提供了可靠的电压阻断和电流导通能力。其最大功率耗散为825mW,结合高达150°C的结温(TJ)工作范围,确保了器件在一定的功率负荷和温度波动下仍能稳定运行,提升了系统的整体鲁棒性。对于需要从可靠安华高代理商处采购元器件的工程师而言,这些参数是评估其适用性的重要依据。
在物理接口与封装方面,HBAT-540B-BLKG采用紧凑的SC-70(SOT-323)封装。这种表面贴装封装形式具有体积小、重量轻的特点,非常适合于对PCB空间有严格限制的现代便携式及高密度电子设备。其封装设计也利于散热和生产中的自动化贴装,提高了制造效率。需要注意的是,该产品目前处于停产状态,在为新设计选型时需考虑供应链的替代方案或库存获取。
基于其技术特性,HBAT-540B-BLKG典型应用于射频信号检波、混频器、高速开关电路以及低压整流等场景。例如,在便携式通信设备、射频识别(RFID)模块、高频传感器接口及电源管理模块的极性保护电路中,它能够有效发挥其低导通损耗和快速响应的优势。其SOT-323封装也使其成为空间紧凑型消费电子和物联网设备中高频电路的优选元件之一。
- 制造商产品型号:HBAT-540B-BLKG
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:DIODE SCHOTTKY 30V 825MW SOT323
- 系列:二极管 - 射频
- 零件状态:停产
- 二极管类型:肖特基 - 单
- 电压-峰值反向(最大值):30V
- 电流-最大值:430mA
- 不同Vr、F时电容:-
- 不同If、F时电阻:-
- 功率耗散(最大值):825mW
- 工作温度:150°C(TJ)
- 封装:SC-70,SOT-323
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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