HBAT-5402-TR2G技术参数

HBAT-5402-TR2G是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的表面贴装肖特基二极管对，采用串联配置集成于紧凑的SOT-23-3封装内。该器件基于成熟的肖特基势垒技术构建，其核心架构将两个独立的肖特基结以串联形式集成于单一硅片上，这种设计不仅优化了芯片内部的电流路径，还通过共享衬底和封装引脚实现了更高的空间利用效率，特别适合在有限的PCB面积内实现射频信号处理或低压逻辑电路中的双向钳位与整流功能。

该二极管对具备高达30V的峰值反向电压和220mA的最大正向电流能力，能够在多种电路条件下提供可靠的性能。其250mW的最大功率耗散与高达150°C的结温（TJ）工作范围，确保了器件在环境温度较高或功率波动较大的应用场景中仍能保持稳定运行。串联配置使得它在需要对称或双向电压处理的电路中尤为有用，例如在射频混频器、检波器或高速开关电路中作为匹配对使用，可以有效减少元件数量并提升电路的一致性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过安华高中国代理获取相关的技术资料与库存信息。

在接口与参数方面，器件采用标准的TO-236-3（SC-59， SOT-23-3）封装，引脚排列兼容行业通用布局，便于自动化贴装与焊接。其电气参数，如峰值反向电压与正向电流的规格，使其特别适用于低电压、高频率的信号路径。虽然该型号目前已处于停产状态，但其设计代表了在小型化射频二极管领域的一种经典解决方案，参数平衡性良好，在要求低正向压降和快速开关速度的场合仍有其应用价值。

典型的应用场景包括便携式通信设备、射频识别（RFID）读写模块、以及各类需要高频信号整流的消费电子产品的辅助电路。其紧凑的封装和稳定的性能使其成为工程师在空间受限且对元件功耗和热性能有要求的射频前端或电源管理部分进行设计时的经典选择之一，尤其适合用于信号钳位、保护以及低压整流等关键电路节点。

• 制造商产品型号：HBAT-5402-TR2G
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：DIODE SCHOTTKY 30V 250MW SOT23-3
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 1 对串联
• 电压-峰值反向（最大值）：30V
• 电流-最大值：220mA
• 不同Vr、F时电容：-
• 不同If、F时电阻：-
• 功率耗散（最大值）：250mW
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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