HBAT-5400-BLKG技术参数

HBAT-5400-BLKG是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的表面贴装肖特基势垒二极管。该器件采用紧凑的SOT-23-3封装，其核心架构基于成熟的肖特基结技术，通过金属与半导体接触形成整流特性，其关键优势在于极低的正向压降和极快的开关速度，这使得它在高频和低压应用中表现出色。

该二极管具备30V的峰值反向电压和220mA的最大正向电流能力，其最大功率耗散为250mW。这些参数使其能够在信号电平处理和低功率开关电路中稳定工作。其工作结温高达150°C，提供了良好的热可靠性，适应多种环境下的应用需求。对于需要可靠射频信号处理或高效电源路径管理的设计，通过专业的安华高芯片代理获取原厂规格书和设计支持至关重要。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-236-3（SC-59， SOT-23-3）封装，便于自动化贴装并节省PCB空间。其肖特基-单管结构简化了外围电路设计。虽然该型号目前已处于停产状态，但其典型性能参数，如低正向压降和快速恢复特性，使其在库存或特定延续性项目中仍具参考价值，尤其适用于对效率和速度有要求的场景。

典型的应用场景包括射频电路中的混频器、检波器以及低功耗DC-DC转换器中的续流或反向保护二极管。它也常见于便携式设备的电源管理单元、高速数据线路的钳位保护以及各类需要高效整流的低电压、高频信号链中。其小型化封装和稳定的电气特性使其成为空间受限且对功耗敏感的设计方案的经典选择之一。

• 制造商产品型号：HBAT-5400-BLKG
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：DIODE SCHOTTKY 30V 250MW SOT23-3
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 单
• 电压-峰值反向（最大值）：30V
• 电流-最大值：220mA
• 不同Vr、F时电容：-
• 不同If、F时电阻：-
• 功率耗散（最大值）：250mW
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴，我们长期提供HBAT-5400-BLKG现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。