AT-64000-GP4技术参数

作为安华高科技（现隶属于Broadcom博通）推出的高性能分立器件，AT-64000-GP4是一款采用NPN型双极结晶体管（BJT）架构的芯片级产品。其核心设计基于成熟的硅基工艺，将晶体管功能集成于微型化的模具封装内，该封装采用了230密耳的氧化铍（BeO）基板。氧化铍材料以其出色的导热性和电气绝缘特性而闻名，这为芯片在高功率密度下稳定运行提供了坚实的物理基础，确保了热量能够被高效导出，从而优化了器件的热管理和长期可靠性。

在电气性能方面，该器件展现了针对通用放大与开关应用的均衡特性。其集电极-发射极击穿电压最大额定值为20V，最大集电极电流为200mA，最大功耗可达3W，这使其能够适应多种中低电压、中电流的电路环境。在典型工作点（110mA， 8V）下，其直流电流增益（hFE）最小值为20，提供了适中的电流放大能力。这种参数组合使其在需要一定驱动能力和电压裕度的设计中成为一个可靠的选择。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过正规的安华高芯片代理渠道获取该产品及相关设计资源。

该芯片采用表面贴装（SMT）形式，其芯片级封装（Die Form）设计旨在满足对空间和重量有严苛要求的现代电子设备。这种封装形式省略了传统塑料或陶瓷外壳，直接将半导体芯片置于电路基板上，通过邦定线实现电气连接，极大地减小了寄生参数，有利于在高频或对性能一致性要求高的模组中使用。工程师在布局时需要特别注意其散热路径的设计，以充分发挥氧化铍基板的散热优势。

基于其性能参数与封装特点，AT-64000-GP4非常适合集成到射频前端模块、功率放大器的驱动级、线性稳压电源的调整管，以及各类通用开关电路中。它在通信设备、测试仪器、工业控制及消费电子产品的模拟信号处理部分都能找到用武之地，尤其适用于那些需要器件在紧凑空间内提供稳定、持久性能的应用场景。

• 制造商产品型号：AT-64000-GP4
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：TRANSISTOR NPN BIPOLAR CHIP
• 系列：-
• 晶体管类型：NPN
• 电压 - 集射极击穿（最大值）：20V
• 频率 - 跃迁：-
• 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：-
• 增益：-
• 功率 - 最大值：3W
• 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：20 @ 110mA，8V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA
• 安装类型：表面贴装
• 产品封装：模具（230 mil BeO）
• 供应商器件封装：-
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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