AT-32032-TR1技术参数

作为一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的射频晶体管，AT-32032-TR1采用了NPN型双极结型晶体管（BJT）架构，专为高频信号处理场景优化。其核心设计聚焦于在紧凑的物理尺寸内实现低噪声与高增益的平衡，集电极-发射极击穿电压额定为5.5V，最大集电极电流为40mA，确保了在低压射频电路中的稳定工作窗口。该器件在900MHz频段下表现出色，噪声系数典型值低至1dB至1.3dB，同时提供13.5dB至15dB的增益，使其能够在放大微弱射频信号时有效抑制系统噪声的引入，提升接收灵敏度。

在功能层面，该晶体管集成了多项关键特性以支持高性能射频应用。其直流电流增益（hFE）在5mA、2.7V条件下最小值达到70，保证了良好的电流驱动能力和线性度。最大功耗为200mW，结合高达150°C的结温（TJ）工作能力，赋予了器件可靠的功率处理特性和环境适应性。表面贴装型（SMT）的SC-70（SOT-323）封装不仅大幅节省了PCB空间，符合现代电子设备小型化、高密度集成的趋势，也便于自动化生产，提升制造效率。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过正规的安华高中国代理获取相关技术资料与采购支持。

从接口与参数细节来看，AT-32032-TR1的电气特性使其非常适合工作在GHz以下的射频频段。其低噪声系数与中高增益的组合，是设计低噪声放大器（LNA）的核心考量。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能参数，使其在特定领域或现有产品维护中仍具参考价值。工程师在应用时需严格遵循其最大额定参数，如电压、电流和功耗限制，并充分考虑散热设计以确保长期可靠性。

在应用场景方面，AT-32032-TR1主要面向对成本和尺寸敏感、同时要求良好射频性能的消费电子及通信设备。典型应用包括900MHz ISM频段的无绳电话、无线传感器网络节点、遥控器以及简单的RF接收前端。其性能指标能够满足这些应用中对信号放大和噪声控制的基本需求。在设计中，它常作为接收链路的首级放大，用于提升天线接收到的微弱信号，为后续的混频或解调电路提供足够强度的输入。

• 制造商产品型号：AT-32032-TR1
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF TRANS NPN 5.5V SC70-3
• 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 射频
• 零件状态：停产
• 晶体管类型：NPN
• 电压-集射极击穿（最大值）：5.5V
• 频率-跃迁：-
• 噪声系数（dB，不同f时的典型值）：1dB ~ 1.3dB @ 900MHz
• 增益：13.5dB ~ 15dB
• 功率-最大值：200mW
• 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：70 @ 5mA，2.7V
• 电流-集电极(Ic)（最大值）：40mA
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：SC-70，SOT-323
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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