

AT-32011-TR2G技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:晶体管 - 双极(BJT)- 射频,封装:TO-253-4,TO-253AA
- 技术参数:RF TRANS NPN 5.5V SOT143
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AT-32011-TR2G技术参数详情说明:
作为安华高科技(现隶属于Broadcom博通)旗下晶体管-双极(BJT)-射频系列的一员,AT-32011-TR2G是一款采用NPN结构的射频晶体管,其核心架构针对高频信号放大进行了优化。该器件采用紧凑的SOT-143(对应封装TO-253-4, TO-253AA)表面贴装封装,能够在高达150°C的结温下稳定工作,体现了在有限空间内实现高性能射频前端设计的工程思路。
在功能表现上,该器件在900MHz频点展现出卓越的射频特性。其噪声系数典型值低至1dB至1.3dB,这对于接收机前端的第一级放大至关重要,能有效降低系统整体噪声,提升信号接收灵敏度。同时,它提供了12.5dB至14dB的增益,确保了信号的有效放大。在直流特性方面,器件在2mA集电极电流和2.7V集射极电压条件下,最小直流电流增益(hFE)为70,结合最大32mA的集电极电流和200mW的最大功耗,为设计提供了清晰的线性工作区间界定。
其接口与关键电气参数定义了明确的应用边界。集射极击穿电压最大值为5.5V,规定了器件安全工作电压的上限。用户在设计偏置电路和进行功率匹配时,需严格参照其Ic-Vce特性曲线及功耗限制。尽管该产品目前已处于停产状态,工程师在维护或升级现有系统时,仍可通过可靠的安华高代理商渠道获取库存或寻找官方推荐的替代方案,以确保供应链的连续性与设计的一致性。
基于其低噪声和高增益的特性组合,AT-32011-TR2G非常适用于对信号纯净度和放大效率有严格要求的应用场景。典型应用包括900MHz频段附近的无线通信模块,如早期的物联网传感节点、专用移动无线电(PMR)或某些消费电子产品的射频前端。它也常被用于低噪声放大器(LNA)、振荡器及混频器等电路单元,是构建紧凑型、高性能射频子系统的一个经典选择。
- 制造商产品型号:AT-32011-TR2G
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:RF TRANS NPN 5.5V SOT143
- 系列:晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 零件状态:停产
- 晶体管类型:NPN
- 电压-集射极击穿(最大值):5.5V
- 频率-跃迁:-
- 噪声系数(dB,不同f时的典型值):1dB ~ 1.3dB @ 900MHz
- 增益:12.5dB ~ 14dB
- 功率-最大值:200mW
- 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):70 @ 2mA,2.7V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):32mA
- 工作温度:150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:TO-253-4,TO-253AA
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AT-32011-TR2G现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。
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