ASML-5829-TR2G技术参数

作为一款高性能射频二极管，ASML-5829-TR2G采用了独特的引脚与肖特基二极管串联架构。这种设计将两种二极管的优势特性相结合，在单一封装内实现了更优的射频性能与电气特性。其内部结构经过精密优化，确保了在宽频带范围内信号处理的稳定性和一致性，为射频前端电路提供了可靠的非线性元件解决方案。

该器件在功能上表现出色，其核心特性包括高达128V和22V的峰值反向电压，能够有效承受射频电路中的电压波动和尖峰冲击。在1MHz频率、5V反向偏压条件下，其结电容低至0.375pF，这一特性显著降低了高频信号路径中的寄生电容效应，有利于保持信号完整性并减少插入损耗。同时，在100MHz频率、5mA正向电流下，其串联电阻仅为2.5欧姆，较低的导通电阻有助于提升功率传输效率并减少热损耗。

在接口与参数方面，ASML-5829-TR2G采用紧凑的SC-70（SOT-323）表面贴装封装，非常适合高密度PCB布局。其最大正向电流为1A，能够满足多数中功率射频应用的需求。该器件的工作结温高达150°C，展现了良好的热稳定性和环境适应性。值得注意的是，该产品目前已处于停产状态，用户在选型时需考虑供应链的长期支持，可通过安华高中国代理等官方渠道获取库存信息或替代方案咨询。

凭借其优异的射频特性，该芯片广泛应用于需要高频开关、信号调制、衰减控制或限幅保护的场景。典型应用包括移动通信基站的前端模块、卫星通信接收机、微波测试仪器以及各类无线收发设备。其低电容、低电阻的特性使其特别适合用于VHF至微波频段的电路设计，在保证系统性能的同时，有助于实现设备的小型化和高可靠性。

• 制造商产品型号：ASML-5829-TR2G
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE PIN 128V/22V SOT323
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：引脚 + 肖特基，1 对串联连接
• 电压-峰值反向（最大值）：128V，22V
• 电流-最大值：1A
• 不同Vr、F时电容：0.375pF @ 5V，1MHz
• 不同If、F时电阻：2.5 欧姆 @ 5mA，100MHz
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：SC-70，SOT-323
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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