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ARE6-8EC1-0DF00技术参数

  • 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
  • 类别封装:红外、紫外和可见光发射器,波长:855nm
  • 技术参数:HIGH POWER IRLED, 855NM, 140DEG
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ARE6-8EC1-0DF00技术参数详情说明:

安华高科技(现隶属于Broadcom博通)推出的ARE6-8EC1-0DF00是一款高性能红外发光二极管(IRLED),专为需要高功率、宽视角红外照明的应用而设计。该器件采用先进的半导体材料和封装工艺,在855nm波长下实现了优异的辐射效率与可靠性,其核心设计旨在满足工业级环境对稳定性和寿命的严苛要求。

该芯片在1A正向电流驱动下,能够提供高达200mW/sr的最小辐射强度,确保了在远距离或低反射率环境下的有效信号覆盖。其典型正向电压仅为1.7V,有助于降低系统的整体功耗和热管理负担。一个关键特性是其140°的超宽视角,这使其能够提供大范围的均匀红外照明,非常适合需要广域覆盖的传感与成像场景。同时,其顶视图(Top View)的发射方向与表面贴装(SMT)封装形式相结合,为PCB布局和光学设计提供了极大的灵活性。

在接口与参数方面,ARE6-8EC1-0DF00支持高达1A的连续直流正向电流,并能在-40°C至120°C的宽温范围内稳定工作,这使其能够适应从寒冷室外到高温设备内部的各种恶劣环境。其卷带(TR)或剪切带(CT)的包装形式兼容自动化贴装生产线,有利于大规模、高效率的制造。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过专业的安华高芯片代理获取该型号及其系列产品,确保原装正品与技术支持。

基于其高功率输出、宽视角和坚固耐用的特性,ARE6-8EC1-0DF00非常适合应用于安防监控中的红外夜视补光、工业机器视觉系统的照明、智能传感(如接近感应、手势识别)以及各种需要非可见光光源的消费电子和汽车电子领域。其设计充分考虑了实际应用中的光学效率、热性能和机械可靠性,是构建高性能红外照明解决方案的核心元器件之一。

  • 制造商产品型号:ARE6-8EC1-0DF00
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:HIGH POWER IRLED, 855NM, 140DEG
  • 产品系列:红外、紫外和可见光发射器
  • 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
  • 系列:ARE6-xxx1-0xx00
  • 零件状态:有源
  • 类型:红外(IR)
  • 电流-DC正向(If)(最大值):1A
  • 不同If时最小辐射强度(Ie):200mW/sr @ 1A
  • 波长:855nm
  • 电压-正向(Vf)(典型值):1.7V
  • 视角:140°
  • 方向:顶视图
  • 工作温度:-40°C ~ 120°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供ARE6-8EC1-0DF00现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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