

ARE6-88C1-0GH00技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:红外、紫外和可见光发射器,波长:855nm
- 技术参数:HIGH POWER IRLED, 855NM, 80DEG
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ARE6-88C1-0GH00技术参数详情说明:
ARE6-88C1-0GH00是一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计制造的高性能红外发光二极管(IRLED)。该器件采用先进的半导体材料和优化的封装结构,旨在提供高功率、高效率的红外光输出,其核心设计围绕在1A正向电流下实现高达400mW/sr的最小辐射强度,同时维持稳定的电气与热学特性。
该芯片的核心优势在于其高功率输出能力与宽视角特性。在1A的直流正向电流驱动下,它能稳定发射出波长为855nm的红外光,这个波长范围在常见硅基光电传感器(如CMOS图像传感器或光电二极管)的响应峰值附近,确保了极高的光电转换效率。其80°的宽视角设计,使得发射出的红外光能够覆盖更广阔的区域,非常适用于需要大面积均匀照明的场景。正向电压典型值仅为1.7V,有助于降低系统的整体功耗和热管理压力。
在接口与参数方面,ARE6-88C1-0GH00采用表面贴装(SMT)封装,支持自动化贴片生产,提升了装配效率和可靠性。其工作温度范围极宽,从-40°C到120°C,确保了在严苛的工业或户外环境中也能稳定运行。该器件提供卷带(TR)或剪切带(CT)包装,以适应不同规模的生产需求。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过安华高中国代理获取该产品及相关技术支持。
基于其高辐射强度、宽视角和坚固耐用的特性,ARE6-88C1-0GH00非常适合应用于对红外光源性能要求较高的领域。典型应用包括安防监控系统中的夜视补光、工业机器视觉的定位与检测、接近传感与物体识别,以及各种需要非可见光照明的人机交互设备。其稳定的输出和宽温工作能力,使其成为构建可靠红外光学系统的关键组件。
- 制造商产品型号:ARE6-88C1-0GH00
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:HIGH POWER IRLED, 855NM, 80DEG
- 产品系列:红外、紫外和可见光发射器
- 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
- 系列:ARE6-xxx1-0xx00
- 零件状态:有源
- 类型:红外(IR)
- 电流-DC正向(If)(最大值):1A
- 不同If时最小辐射强度(Ie):400mW/sr @ 1A
- 波长:855nm
- 电压-正向(Vf)(典型值):1.7V
- 视角:80°
- 方向:顶视图
- 工作温度:-40°C ~ 120°C
- 安装类型:表面贴装型
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供ARE6-88C1-0GH00现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。
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