ARE6-8831-0JL00技术参数

作为一款高性能红外发射器件，ARE6-8831-0JL00采用了安华高科技（现隶属于Broadcom博通）先进的半导体工艺技术。其核心架构基于高效率的砷化镓铝（AlGaAs）材料体系，专为在1.5A的最大正向直流电流下稳定工作而优化，确保了在高驱动条件下的可靠性与长寿命。该器件设计为表面贴装型，采用紧凑的封装形式，支持卷带或剪切带包装，便于自动化大规模生产组装。

该红外发射器的核心功能特点是其高功率输出与精确的光学性能。在1A的驱动电流下，它能提供高达630mW/sr的最小辐射强度，这使其在需要强红外照明的应用中表现出色。其发射波长为855nm，位于近红外光谱区域，这一波长对许多硅基光电传感器（如CMOS图像传感器或光电二极管）具有很高的灵敏度，同时对人眼不可见，非常适合需要隐蔽照明的场景。其宽达80°的视角提供了广阔的照射范围，减少了系统中所需元器件的数量。

在电气接口与关键参数方面，该器件在典型工作条件下的正向压降为3.05V，工程师在设计驱动电路时需要据此计算功耗。其坚固性体现在-40°C至120°C的宽工作温度范围，使其能够适应从工业控制到户外设备的苛刻环境。产品的方向为顶视图发射，便于在PCB上进行光学布局设计。对于需要可靠供应链保障的客户，可以通过官方安华高代理渠道获取此型号，确保产品的原装正品与技术支持。

基于其高功率、高辐射强度及855nm的特定波长，ARE6-8831-0JL00非常适合多种应用场景。它常被用于安防监控领域，作为红外补光灯，为夜视摄像头提供清晰、无红曝的照明。在工业自动化中，可用于机器视觉系统的主动照明，提高检测精度。此外，在接近传感、红外通信模块以及一些需要非可见光光源的消费电子和医疗设备中，它也是一个可靠的选择。

• 制造商产品型号：ARE6-8831-0JL00
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：HIGH POWER IRLED, 855NM, 80DEG
• 产品系列：红外、紫外和可见光发射器
• 包装：卷带（TR）,剪切带（CT）
• 系列：ARE6-xxx1-0xx00
• 零件状态：有源
• 类型：红外（IR）
• 电流-DC正向(If)（最大值）：1.5A
• 不同If时最小辐射强度(Ie)：630mW/sr @ 1A
• 波长：855nm
• 电压-正向(Vf)（典型值）：3.05V
• 视角：80°
• 方向：顶视图
• 工作温度：-40°C ~ 120°C
• 安装类型：表面贴装型
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴，我们长期提供ARE6-8831-0JL00现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。