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ARE1-89D0-00000技术参数

  • 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
  • 类别封装:红外、紫外和可见光发射器,波长:850nm
  • 技术参数:HIGH POWER IRLED, 850NM, 90DEG
  • 专注销售安华高电子元器件,承诺原装!现货当天发货!
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ARE1-89D0-00000技术参数详情说明:

ARE1-89D0-00000是一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计制造的高功率红外发光二极管(IRLED)。该器件采用先进的半导体材料和光学设计,其核心架构旨在实现高效的电光转换与宽广的空间辐射覆盖。它工作在850nm近红外波段,这一波长在硅基光电探测器中具有高响应度,同时对人眼不可见,非常适合需要隐蔽照明的应用。

该芯片的功能特点突出体现在其高输出功率与宽视角上。在1A的最大正向直流电流驱动下,其最小辐射强度可达250mW/sr,能够提供充足的红外光通量。结合其90°的半强角视角,它能够均匀地照亮一个广阔的区域,减少了在应用中所需器件的数量,简化了系统设计。其典型正向电压为1.8V,功耗控制得当,有助于提升整体能效。器件采用表面贴装型封装,支持卷带或剪切带包装,便于自动化生产装配,并通过-40°C至100°C的宽工作温度范围确保了在苛刻环境下的可靠性与稳定性。

在接口与电气参数方面,1A的最大正向电流定义了其驱动上限,而850nm的峰值波长则保证了与标准CMOS图像传感器的最佳匹配。其“顶视图”的辐射方向性使其成为板上安装并垂直向上发射光线的理想选择。这些参数共同构成了一个性能均衡、易于集成的红外光源解决方案。对于需要稳定、长期供货和技术支持的客户,可以通过专业的安华高芯片代理渠道获取该产品及相关服务。

基于上述特性,ARE1-89D0-00000非常适合应用于对夜视能力有要求的领域。其主要应用场景包括安防监控系统中的红外补光照明,为CCD或CMOS摄像头在低光或无光条件下提供清晰的成像所需光源。此外,它也常用于机器视觉、自动感应设备(如光电开关、距离传感器)以及需要非可见光通信或检测的工业与消费电子系统中,是实现主动光学感知的关键组件。

  • 制造商产品型号:ARE1-89D0-00000
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:HIGH POWER IRLED, 850NM, 90DEG
  • 产品系列:红外、紫外和可见光发射器
  • 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
  • 系列:ARE1-xxxx-00000
  • 零件状态:有源
  • 类型:红外(IR)
  • 电流-DC正向(If)(最大值):1A
  • 不同If时最小辐射强度(Ie):250mW/sr @ 1A
  • 波长:850nm
  • 电压-正向(Vf)(典型值):1.8V
  • 视角:90°
  • 方向:顶视图
  • 工作温度:-40°C ~ 100°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供ARE1-89D0-00000现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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