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ARE1-85D0-00000技术参数

  • 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
  • 类别封装:红外、紫外和可见光发射器,波长:850nm
  • 技术参数:HIGH POWER IRLED, 850NM, 50DEG
  • 专注销售安华高电子元器件,承诺原装!现货当天发货!
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ARE1-85D0-00000技术参数详情说明:

ARE1-85D0-00000是一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计制造的高性能红外发光二极管(IRLED)。该器件采用先进的半导体材料和优化的封装结构,旨在提供高功率、高效率的红外光发射,以满足现代工业和消费电子领域对可靠、稳定红外光源日益增长的需求。

该芯片的核心架构基于成熟的GaAs(砷化镓)材料体系,通过精密的晶圆工艺和芯片设计,实现了在850纳米波段的优异发光特性。其封装采用了表面贴装型(SMD)设计,具备良好的热管理能力,确保器件在高达1安培的直流正向电流下稳定工作。其50°的半强度角视角提供了适中的光束扩散,既保证了照射范围,又维持了中心区域的辐射强度,使其在多种光学系统中都能实现良好的耦合与覆盖。

在功能特点上,ARE1-85D0-00000最突出的性能是其高辐射强度,在1A驱动电流下,最小辐射强度可达550mW/sr,这使其成为需要强红外照明的应用的理想选择。其典型正向电压仅为1.8V,有助于降低系统的整体功耗。器件支持-40°C至100°C的宽工作温度范围,确保了在苛刻环境下的可靠性与长寿命。其顶视图(Top View)的发光方向与标准的表面贴装工艺兼容,便于集成到各类PCB设计中。

接口与电气参数方面,该器件设计简洁,主要接口为两个用于供电的焊盘。其最大额定正向电流为1A,用户需根据实际应用设计相应的限流电路。波长850nm处于硅基光电传感器(如CMOS图像传感器、光电二极管)的高响应区间,这使得信号接收端的信噪比得以优化。器件提供卷带(TR)或剪切带(CT)包装,适合自动化贴片生产线,能有效提升大规模生产的效率与一致性。如需获取官方技术支持和原装正品,建议通过安华高代理进行采购。

在应用场景上,ARE1-85D0-00000广泛适用于安防监控领域的夜视补光、机器视觉系统的照明、红外触摸屏、接近传感以及各类需要不可见光光源的消费电子和工业设备。其高功率特性特别适合要求照射距离远或光照强度高的场合,例如远距离监控摄像头或复杂环境下的工业检测系统。

  • 制造商产品型号:ARE1-85D0-00000
  • 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
  • 描述:HIGH POWER IRLED, 850NM, 50DEG
  • 产品系列:红外、紫外和可见光发射器
  • 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
  • 系列:ARE1-x5x0-00000
  • 零件状态:有源
  • 类型:红外(IR)
  • 电流-DC正向(If)(最大值):1A
  • 不同If时最小辐射强度(Ie):550mW/sr @ 1A
  • 波长:850nm
  • 电压-正向(Vf)(典型值):1.8V
  • 视角:50°
  • 方向:顶视图
  • 工作温度:-40°C ~ 100°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴,我们长期提供ARE1-85D0-00000现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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