

ARE1-85C0-00000技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:红外、紫外和可见光发射器,波长:850nm
- 技术参数:HIGH POWER IRLED, 850NM, 50DEG
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ARE1-85C0-00000技术参数详情说明:
ARE1-85C0-00000是一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计制造的高性能红外发光二极管(IRLED)。该器件采用先进的半导体材料和光学设计,旨在为各类光电传感与通信系统提供高功率、高可靠性的850nm红外光源。其核心架构基于优化的GaAs(砷化镓)材料体系,通过精密的芯片级封装工艺,实现了优异的光电转换效率与热管理性能,确保在宽温范围内稳定工作。
该红外发射器的显著功能特点是其高达1A的最大正向直流驱动电流以及在此电流下最小400mW/sr的辐射强度。这意味着在同等驱动条件下,它能输出更强的红外光功率,有效提升了传感系统的信噪比与作用距离。其典型正向电压为1.8V,具有较低的功耗特性。器件采用表面贴装(SMD)封装,方向为顶视图发射,50°的半强度角视角提供了适中的光束扩散范围,既能保证一定的照射面积,又避免了光能的过度分散,非常适合中短距离的均匀照明应用。
在接口与关键参数方面,安华高代理提供的技术资料显示,ARE1-85C0-00000的工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至85°C,使其能够适应严苛的户外或工业环境。其标准包装为卷带(TR)或剪切带(CT),便于自动化贴装生产,提升制造效率。850nm的波长处于硅基光电探测器(如光电二极管、CMOS图像传感器)的高响应区间,确保了系统接收端的高灵敏度。
基于上述特性,ARE1-85C0-00000广泛应用于需要主动红外照明的场景。它是安防监控系统中红外夜视摄像头、智能家居中的存在感应与手势识别模块、工业自动化中的机器视觉定位与检测、以及短距离红外数据通信链路(如IrDA)等应用的理想光源选择。其高功率输出尤其适合要求照明距离更远或穿透力更强的复杂环境,为系统设计师提供了可靠的核心光发射解决方案。
- 制造商产品型号:ARE1-85C0-00000
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:HIGH POWER IRLED, 850NM, 50DEG
- 产品系列:红外、紫外和可见光发射器
- 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
- 系列:ARE1-x5x0-00000
- 零件状态:有源
- 类型:红外(IR)
- 电流-DC正向(If)(最大值):1A
- 不同If时最小辐射强度(Ie):400mW/sr @ 1A
- 波长:850nm
- 电压-正向(Vf)(典型值):1.8V
- 视角:50°
- 方向:顶视图
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 安装类型:表面贴装型
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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