ALM-11036-TR1G技术参数

作为一款专为高性能射频前端设计的集成电路，ALM-11036-TR1G采用了先进的低噪声放大器（LNA）架构，并集成了必要的偏置和匹配网络。该芯片采用紧凑的36引脚MCOB封装，尺寸仅为10mm x 7mm，其内部设计优化了信号路径，旨在为776MHz至870MHz频段内的射频信号提供卓越的放大性能，同时将外部元件需求降至最低，简化了系统设计。

该器件的核心优势在于其出色的噪声性能与增益的平衡。在849MHz的典型测试频率下，其噪声系数低至0.78dB，这对于接收链路灵敏度至关重要的应用而言是一个关键指标。同时，它提供了高达15.6dB的增益，能够有效提升微弱信号的强度。其输出1dB压缩点（P1dB）为4dBm，确保了在一定的输入信号动态范围内，放大器能够保持优异的线性度，减少信号失真。

在接口与电气参数方面，ALM-11036-TR1G采用单5V电源供电，典型工作电流为92mA，功耗控制得当。其封装底部带有裸露焊盘，为散热和实现良好的射频接地提供了便利。该芯片被归类为通用RF类型，意味着其设计具有广泛的适用性，工程师可以通过专业的AVAGO代理商获取详细的应用笔记和设计支持，以充分发挥其性能。

基于其优异的频率覆盖和性能参数，该芯片非常适合应用于对接收机性能要求严苛的领域。例如，在专业移动无线电（PMR）、公共安全通信基站、无线基础设施的中继与接收单元，以及需要高灵敏度接收的专用物联网（IoT）网关中，它都能作为前置低噪声放大级的理想选择，有效提升整个系统的链路预算和通信可靠性。

• 制造商产品型号：ALM-11036-TR1G
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：IC AMP LO NSE LNA 7X10MM 36MCOB
• 系列：-
• 频率：776MHz ~ 870MHz
• P1dB：4dBm
• 增益：15.6dB
• 噪声系数：0.78dB
• RF 类型：通用
• 电压 - 电源：5V
• 电流 - 电源：92mA
• 测试频率：849MHz
• 产品封装：36-TQFN 裸露焊盘（6 引线）
• 供应商器件封装：36-MCOB（10 x 7）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为安华高代理商的战略合作伙伴，我们长期提供ALM-11036-TR1G现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。