ACMD-7602-BLKG技术参数

制造厂商：AVAGO（安华高，博通BROADCOM）
类别封装：RF双工器，3-CSP
技术参数：DUPLEXER FBAR UMTS BAND1 2.5X3MM
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ACMD-7602-BLKG技术参数详情说明：

作为一款高性能的射频前端组件，ACMD-7602-BLKG采用了先进的薄膜体声波谐振器（FBAR）技术来构建其核心的双工器架构。FBAR技术以其卓越的品质因数（Q值）和出色的功率处理能力著称，能够在紧凑的物理尺寸内实现陡峭的滤波器边缘和极低的插入损耗。这种架构使得该芯片在指定的UMTS Band 1频段内，能够高效地分离发射（Tx）与接收（Rx）信号路径，同时提供优异的带外抑制能力，从而确保收发链路间的隔离度，避免信号串扰对系统性能造成影响。

该器件的功能特点突出体现在其优异的电气性能上。在低频带（1.92GHz ~ 1.98GHz）和高频带（2.11GHz ~ 2.17GHz）分别实现了不低于53.00dB和41.00dB的典型衰减，这为系统提供了强大的带外干扰抑制能力。同时，其回波损耗在低频带和高频带分别达到20dB和16dB，这意味着信号在端口处反射极小，绝大部分能量被有效传输，从而优化了系统的整体功率效率并降低了因阻抗失配带来的潜在问题。这些特性共同保障了在复杂电磁环境下的通信链路稳定性和信号纯净度。

在接口与参数方面，ACMD-7602-BLKG采用标准的表面贴装技术（SMT），封装为紧凑的3-CSP，尺寸仅为2.5mm x 3.0mm，非常适合对空间有严格限制的现代移动设备设计。其工作频段完全覆盖UMTS Band 1（上行1920-1980 MHz，下行2110-2170 MHz），满足了3G网络的关键需求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的安华高一级代理获取该产品，确保原装正品和全面的应用支持。

基于其高性能和小型化特点，该芯片主要面向需要高集成度和优异射频性能的应用场景。它是3G智能手机、移动热点、数据卡以及其他便携式无线通信设备的理想选择。此外，在部分需要复用UMTS Band 1频段的4G LTE设备，或作为特定物联网（IoT）模块中的关键滤波组件时，也能发挥重要作用，帮助设计工程师在有限的PCB面积内实现复杂的多频段射频前端设计，并保证各频段间的信号完整性。