

5082-3039#T50技术参数
- 制造厂商:AVAGO(安华高,博通BROADCOM)
- 类别封装:RF二极管,原厂封装
- 技术参数:DIODE PIN GEN PURP SW 150V AXIAL
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5082-3039#T50技术参数详情说明:
作为一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计制造的通用型PIN二极管,5082-3039#T50采用了经典的轴向DO-35(DO-204AH)玻璃封装,这种结构在提供可靠物理保护的同时,也确保了器件具有良好的高频特性与稳定性。其核心在于PIN结的独特构造,即在重掺杂的P型和N型半导体区域之间,引入一层本征(I型)或轻掺杂的半导体层。这一本征层的存在,使得该二极管在高频和微波频段下展现出与传统PN结二极管截然不同的电气行为,特别适合于开关与衰减应用。
该器件的功能特性由其关键电气参数精准定义。150V的峰值反向电压为其提供了宽裕的工作电压裕度,增强了其在各种电路环境下的可靠性。在射频性能方面,其在50V偏压、1MHz条件下的电容值低至0.25pF,这一极低的结电容是其在高频下实现快速开关和低插入损耗的关键。同时,在100mA正向电流、100MHz条件下,其电阻仅为1.25欧姆,这保证了在导通状态下具有较低的损耗。最大100mA的正向电流和250mW的功率耗散能力,则界定了其适用的功率等级范围。
在接口与参数层面,5082-3039#T50的轴向引脚设计便于在传统通孔PCB板上进行安装。其综合参数组合包括低电容、适中电阻、足够的电压与电流容量使其成为一个性能均衡的解决方案。工程师在选型时,可以从专业的安华高代理商处获取完整的数据手册、应用支持以及可靠的供货渠道,以确保设计方案的顺利实施与量产。
基于上述技术特点,该二极管非常适合应用于需要高频信号控制的场景。例如,在通信系统的射频开关电路中,利用其低电容特性实现信号路径的高速切换与隔离;在可调衰减器中,利用其偏压可变的电阻特性来精确控制信号幅度;此外,也常见于仪器仪表、宽带调制电路以及一些微波限幅器设计中。其通用型的定位和稳健的参数表现,使其成为工程师在高频模拟电路设计中的一个基础且可靠的选择。
- 制造商产品型号:5082-3039#T50
- 制造商:安华高科技(Avago Technologies,Broadcom博通)
- 描述:DIODE PIN GEN PURP SW 150V AXIAL
- 系列:-
- 二极管类型:PIN - 单
- 电压 - 峰值反向(最大值):150V
- 电流 - 最大值:100mA
- 不同 Vr、F 时的电容:0.25pF @ 50V,1MHz
- 不同 If、F 时的电阻:1.25 欧姆 @ 100mA,100MHz
- 功率耗散(最大值):250mW
- 产品封装:DO-204AH,DO-35,轴向
- 供应商器件封装:-
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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