4N45-000E技术参数

制造厂商：AVAGO（安华高，博通BROADCOM）
类别封装：光隔离器 - 晶体管，光电输出，封装：6-DIP（0.300，7.62mm）
技术参数：OPTOISO 3.75KV DARL W/BASE 6DIP
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4N45-000E技术参数详情说明：

安华高科技（现隶属于Broadcom博通）推出的4N45-000E是一款高性能的单通道光电耦合器，其核心设计基于成熟的光隔离技术。该器件在输入端采用发光二极管（LED），输出端则集成了一个带有可访问基极引脚的高增益达林顿晶体管。这种架构通过光作为媒介传输电信号，实现了输入与输出侧之间高达3750Vrms的电气隔离，为系统提供了可靠的绝缘屏障，有效防止高压侧噪声或故障对低压控制电路的干扰与损害。

该器件的一个突出特性是其优异的电流传输比（CTR），在10mA正向电流条件下，其最小值可达200%，最大值高达1000%。这种高且宽范围的CTR值意味着器件具有极高的灵敏度与信号传输效率，允许在较低的输入电流下驱动输出级，从而降低对前级驱动电路的要求并优化整体功耗。输出端采用带基极引脚的达林顿晶体管配置，不仅提供了高达60mA的连续输出电流能力，而且通过基极引脚为用户提供了额外的灵活性，可用于改善开关速度或进行外部偏置调整。其典型的开关时间参数，如5s的接通时间与150s的关断时间，使其能够胜任中低速的信号隔离与开关控制任务。

在电气参数方面，4N45-000E支持直流输入，典型正向压降为1.4V，最大正向电流为20mA。输出晶体管的最大集电极-发射极电压为70V，确保了在多种电路环境下的适用性。器件采用标准的6引脚双列直插式封装（6-DIP），便于通孔焊接，其宽泛的工作温度范围（-40°C至85°C）保证了在工业级严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的安华高中国代理获取原厂正品与技术资料。

凭借其高隔离电压、高电流传输比和达林顿输出结构，该光耦非常适合应用于需要安全隔离和信号调理的场合。典型应用包括工业自动化控制系统中的数字信号隔离、可编程逻辑控制器（PLC）的I/O模块、电机驱动电路的反馈隔离、开关电源的反馈环路以及各类仪器仪表中，用于阻断地线环路、提升系统抗干扰能力和保障操作人员安全。